(0)
Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные NP90N04VLK-E1-AY
Изображение служит лишь для справки
NP90N04VLK-E1-AY
-
Renesas Electronics America Inc
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
- MOSFET N-CH 40V 90A TO252
Date Sheet
Lagernummer 6007
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Вид крепления：Surface Mount
- Корпус / Кейс：TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
- Поставщик упаковки устройства：TO-252 (MP-3ZP)
- Mfr：Renesas Electronics America Inc
- Состояние продукта：Active
- Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：90A (Tc)
- Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On)：4.5V, 10V
- Максимальная мощность рассеяния：1.2W (Ta), 147W (Tc)
- Основной номер продукта：NP90N04
- Пакетная партия производителя：2500
- Производитель：Renesas Electronics
- Бренд：Renesas Electronics
- РХОС：Details
- Усилительный напряжение разрыва Drain-Source：40 V
- Втс - Пороговая напряжённость канала-истока：2.5 V
- Распад мощности：147 W
- Полярность транзистора：N-Channel
- Максимальная рабочая температура：+ 175 C
- Усв：- 20 V, + 20 V
- Монтажные варианты：SMD/SMT
- Режим канала：Enhancement
- Зарядная характеристика ворот：68 nC
- Допустимый коэффициент сопротивления на дрен-исток：2.8 mOhms
- Id - Непрерывный ток разряда：90 A
- Серия：-
- Рабочая температура：175°C
- Пакетирование：Reel
- Подкатегория：MOSFETs
- Каналов количество：1 Channel
- Тип ТРВ：N-Channel
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：2.8mOhm @ 45A, 10V
- Втс(th) (Макс) @ Id：2.5V @ 250μA
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：5700 pF @ 25 V
- Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：102 nC @ 10 V
- Напряжение стока-исток (Vdss)：40 V
- Угол настройки (макс.)：±20V
- Тип продукта：MOSFET
- Характеристика ТРП：-
- Категория продукта：MOSFET
- Ширина：6.1 mm
- Высота：2.65 mm
- Длина：6.5 mm
Со склада 6007
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
