SI1967DH-T1-BE3

Name: Vishay Siliconix SI1967DH-T1-BE3
Brand: Vishay Siliconix
Rating: 4.5 (16 reviews)

Vishay Siliconix
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Массивы
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
MOSFET 2P-CH 20V 1.3A SC70-6
Date Sheet

Lagernummer 8430

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Вид крепления：Surface Mount
Корпус / Кейс：6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Поставщик упаковки устройства：SC-70-6
Mfr：Vishay Siliconix
Состояние продукта：Active
Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：1A (Ta), 1.3A (Tc)
Основной номер продукта：SI1967
Усилительный напряжение разрыва Drain-Source：20 V
Время типичного задержки включения：12 ns
Втс - Пороговая напряжённость канала-истока：2.5 V
Распад мощности：1.25 W
Полярность транзистора：P-Channel
Максимальная рабочая температура：+ 150 C
Усв：- 8 V, + 8 V
Минимальная температура работы：- 55 C
Пакетная партия производителя：3000
Монтажные варианты：SMD/SMT
Режим канала：Enhancement
Партийные обозначения：SI1967DH-T1-GE3 SI1967DH-T1-E3
Производитель：Vishay
Бренд：Vishay
Зарядная характеристика ворот：4 nC
Допустимый коэффициент сопротивления на дрен-исток：490 mOhms
РХОС：Details
Время задержки отключения типичного：15 ns
Id - Непрерывный ток разряда：1.3 A
Рабочая температура：-55°C ~ 150°C (TJ)
Пакетирование：MouseReel
Подкатегория：MOSFETs
Технология：Si
Каналов количество：2 Channel
Мощность - Макс：740mW (Ta), 1.25W (Tc)
Тип ТРВ：2 P-Channel (Dual)
Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：490mOhm @ 910mA, 4.5V
Втс(th) (Макс) @ Id：1V @ 250μA
Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：110pF @ 10V
Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：4nC @ 10V
Время подъема：27 ns
Напряжение стока-исток (Vdss)：20V
Тип продукта：MOSFET
Тип транзистора：2 P-Channel
Характеристика ТРП：Standard
Категория продукта：MOSFET

Со склада 8430

Итого $0.00000