SIZ254DT-T1-GE3

Name: Vishay Siliconix SIZ254DT-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
Rating: 4.7 (20 reviews)

Vishay Siliconix
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Массивы
8-PowerWDFN
DUAL N-CHANNEL 70 V (D-S) MOSFET
Date Sheet

Lagernummer 4308

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Вид крепления：Surface Mount
Корпус / Кейс：8-PowerWDFN
Mfr：Vishay Siliconix
Состояние продукта：Active
Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：11.7A (Ta), 32.5A (Tc)
Число элементов на чипе：2
Формат упаковки：PowerPAIR 3 x 3S
Режим канала：Enhancement
Квалификация：-
Полярность транзистора：N Channel
Прямоходящий ток вывода Id：32.5A
Усилительный напряжение разрыва Drain-Source：70 V
Время типичного задержки включения：12 ns
Втс - Пороговая напряжённость канала-истока：2.4 V
Распад мощности：33 W
Максимальная рабочая температура：+ 150 C
Усв：- 20 V, + 20 V
Вес единицы：0.005046 oz
Минимальная температура работы：- 55 C
Пакетная партия производителя：3000
Монтажные варианты：SMD/SMT
Минимальная прямая транконductанс：45 S, 50 S
Производитель：Vishay
Бренд：Vishay / Siliconix
Зарядная характеристика ворот：13 nC
Торговое наименование：TrenchFET
Допустимый коэффициент сопротивления на дрен-исток：16.1 mOhms
РХОС：Details
Время задержки отключения типичного：23 ns, 24 ns
Id - Непрерывный ток разряда：32.5 A
Рабочая температура：-55°C ~ 150°C (TJ)
Пакетирование：Cut Tape
Подкатегория：MOSFETs
Технология：Si
Число контактов：8
Конфигурация：Dual
Каналов количество：1 Channel
Мощность - Макс：4.3W (Ta), 33W (Tc)
Тип ТРВ：2 N-Channel (Dual)
Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：16.1mOhm @ 10A, 10V
Втс(th) (Макс) @ Id：2.4V @ 250μA
Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：795pF @ 35V, 765pF @ 35V
Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：20nC @ 10V
Время подъема：6 ns
Напряжение стока-исток (Vdss)：70V
Тип продукта：MOSFET
Тип транзистора：TrenchFET Gen IV Power MOSFET
Канальный тип：N
Характеристика ТРП：Standard
Категория продукта：MOSFET

Со склада 4308

Итого $0.00000