IAUC60N04S6L045HATMA1

Name: Infineon Technologies IAUC60N04S6L045HATMA1
Brand: Infineon Technologies
Rating: 4.9 (18 reviews)

Infineon Technologies
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Массивы
8-PowerVDFN
IAUC60N04S6L045HATMA1
Date Sheet

Lagernummer 16086

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Вид крепления：Surface Mount
Корпус / Кейс：8-PowerVDFN
Поставщик упаковки устройства：PG-TDSON-8-57
Mfr：Infineon Technologies
Состояние продукта：Active
Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：60A (Tj)
Основной номер продукта：IAUC60
MSL：MSL 1 - Unlimited
Квалификация：AEC-Q101
Полярность транзистора：N Channel
Прямоходящий ток вывода Id：60A
Усилительный напряжение разрыва Drain-Source：40 V
Время типичного задержки включения：2 ns
Втс - Пороговая напряжённость канала-истока：2 V
Распад мощности：52 W
Максимальная рабочая температура：+ 175 C
Усв：- 16 V, + 16 V
Минимальная температура работы：- 55 C
Пакетная партия производителя：5000
Монтажные варианты：SMD/SMT
Режим канала：Enhancement
Партийные обозначения：IAUC60N04S6L045H SP004134514
Производитель：Infineon
Бренд：Infineon Technologies
Зарядная характеристика ворот：14 nC
Торговое наименование：OptiMOS
Допустимый коэффициент сопротивления на дрен-исток：4.5 mOhms
Время задержки отключения типичного：9 ns
Id - Непрерывный ток разряда：80 A
Рабочая температура：-55°C ~ 175°C (TJ)
Пакетирование：Cut Tape
Подкатегория：MOSFETs
Технология：Si
Каналов количество：1 Channel
Мощность - Макс：52W (Tc)
Тип ТРВ：2 N-Channel (Half Bridge)
Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：4.5mOhm @ 30A, 10V
Втс(th) (Макс) @ Id：2V @ 13μA
Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：1136pF @ 25V
Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：19nC @ 10V
Время подъема：1 ns
Напряжение стока-исток (Vdss)：40V
Тип продукта：MOSFET
Тип транзистора：1 N-Channel
Канальный тип：N Channel
Характеристика ТРП：Logic Level Gate
Категория продукта：MOSFET

Со склада 16086

Итого $0.00000