Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Массивы SIZF906BDT-T1-GE3
Изображение служит лишь для справки
SIZF906BDT-T1-GE3
- Vishay Siliconix
- Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Массивы
- 8-PowerWDFN
- DUAL N-CHANNEL 30 V (D-S) MOSFET
- Date Sheet
Lagernummer 22291
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Вид крепления:Surface Mount
- Корпус / Кейс:8-PowerWDFN
- Mfr:Vishay Siliconix
- Состояние продукта:Active
- Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C:36A (Ta), 105A (Tc), 63A (Ta), 257A (Tc)
- Число элементов на чипе:2
- Формат упаковки:PowerPAIR 6 x 5F
- Режим канала:Enhancement
- Квалификация:-
- Полярность транзистора:N Channel
- Прямоходящий ток вывода Id:257A
- Усилительный напряжение разрыва Drain-Source:30 V
- Время типичного задержки включения:12 ns, 20 ns
- Втс - Пороговая напряжённость канала-истока:2.2 V
- Распад мощности:38 W, 83 W
- Максимальная рабочая температура:+ 150 C
- Усв:- 16 V, + 20 V
- Вес единицы:0.011899 oz
- Минимальная температура работы:- 55 C
- Пакетная партия производителя:3000
- Монтажные варианты:SMD/SMT
- Минимальная прямая транконductанс:93 S, 170 S
- Производитель:Vishay
- Бренд:Vishay / Siliconix
- Зарядная характеристика ворот:25 nC, 81 nC
- Торговое наименование:TrenchFET
- Допустимый коэффициент сопротивления на дрен-исток:680 uOhms, 2.1 mOhms
- РХОС:Details
- Время задержки отключения типичного:22 ns, 40 ns
- Id - Непрерывный ток разряда:105 A, 257 A
- Рабочая температура:-55°C ~ 150°C (TJ)
- Пакетирование:MouseReel
- Подкатегория:MOSFETs
- Технология:Si
- Число контактов:8
- Конфигурация:Dual
- Каналов количество:1 Channel
- Мощность - Макс:4.5W (Ta), 38W (Tc), 5W (Ta), 83W (Tc)
- Тип ТРВ:2 N-Channel (Dual), Schottky
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs:2.1mOhm @ 15A, 10V, 680μOhm @ 20A, 10V
- Втс(th) (Макс) @ Id:2.2V @ 250μA
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds:1630pF @ 15V, 5550pF @ 15V
- Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs:49nC @ 10V, 165nC @ 10V
- Время подъема:5 ns, 30 ns
- Напряжение стока-исток (Vdss):30V
- Тип продукта:MOSFET
- Тип транзистора:TrenchFET Gen IV Power MOSFET
- Канальный тип:N
- Характеристика ТРП:Standard
- Категория продукта:MOSFET
Со склада 22291
Итого $0.00000