SSM3J351R,LXHF

Name: Toshiba Semiconductor and Storage SSM3J351R,LXHF
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
Rating: 4.5 (9 reviews)

Toshiba Semiconductor and Storage
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
SOT-23-3 Flat Leads
AECQ MOSFET PCH -60V -3.5A SOT23
Date Sheet

Lagernummer 0

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Вид крепления：Surface Mount
Корпус / Кейс：SOT-23-3 Flat Leads
Поставщик упаковки устройства：SOT-23F
Mfr：Toshiba Semiconductor and Storage
Пакет：Cut Tape (CT)
Состояние продукта：Active
Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：3.5A (Ta)
Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On)：4V, 10V
Максимальная мощность рассеяния：1W (Ta)
Усилительный напряжение разрыва Drain-Source：60 V
Время типичного задержки включения：32 ns
Втс - Пороговая напряжённость канала-истока：2 V
Квалификация：AEC-Q101
Распад мощности：2 W
Полярность транзистора：P-Channel
Максимальная рабочая температура：+ 150 C
Усв：- 20 V, + 10 V
Вес единицы：0.000388 oz
Минимальная температура работы：- 55 C
Пакетная партия производителя：3000
Монтажные варианты：SMD/SMT
Минимальная прямая транконductанс：6.4 S
Режим канала：Enhancement
Производитель：Toshiba
Бренд：Toshiba
Зарядная характеристика ворот：15.1 nC
Допустимый коэффициент сопротивления на дрен-исток：164 mOhms
РХОС：Details
Время задержки отключения типичного：100 ns
Id - Непрерывный ток разряда：3.5 A
Серия：Automotive, AEC-Q101, U-MOSVI
Рабочая температура：150°C
Пакетирование：MouseReel
Подкатегория：MOSFETs
Конфигурация：Single
Каналов количество：1 Channel
Тип ТРВ：P-Channel
Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：134mOhm @ 1A, 10V
Втс(th) (Макс) @ Id：2V @ 1mA
Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：660 pF @ 10 V
Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：15.1 nC @ 10 V
Напряжение стока-исток (Vdss)：60 V
Угол настройки (макс.)：+10V, -20V
Тип продукта：MOSFET
Тип транзистора：1 P-Channel
Характеристика ТРП：-
Категория продукта：MOSFET

Со склада 0

Итого $0.00000