(0)
Изображение служит лишь для справки
2SCR564F3TR
-
Rohm Semiconductor
-
Транзисторы - Биполярные (BJT) - Одинарные
- 3-UDFN Exposed Pad
- TRANS NPN 80V 4A HUML2020L3
Date Sheet
Lagernummer 5985
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Вид крепления：Surface Mount
- Корпус / Кейс：3-UDFN Exposed Pad
- Поставщик упаковки устройства：HUML2020L3
- Mfr：Rohm Semiconductor
- Состояние продукта：Active
- Максимальный коллекторный ток (Ic)：4 A
- Квалификация：-
- Полярность транзистора：NPN
- Эмиттер-основное напряжение ВЭБО：6 V
- Распад мощности：1 W
- Максимальная рабочая температура：+ 150 C
- Коэффициент усиления коллектора/базы постоянного тока hfe мин.：120 at 500mA, 3 V
- Минимальная температура работы：-
- Пакетная партия производителя：3000
- Монтажные варианты：SMD/SMT
- Параметр частотно-уровневого продукта fT：280 MHz
- Производитель：ROHM Semiconductor
- Бренд：ROHM Semiconductor
- Максимальный постоянный ток сбора：4 A
- Максимальная коэффициент усиления постоянного тока hFE：390 at 500mA, 3 V
- РХОС：Details
- Максимальное напряжение коллектора-эммиттера VCEO：80 V
- Серия：-
- Рабочая температура：150°C (TJ)
- Пакетирование：Cut Tape
- Подкатегория：Transistors
- Технология：Si
- Конфигурация：Single
- Распад мощности：2.1W
- Мощность - Макс：1 W
- Тип продукта：BJTs - Bipolar Transistors
- Тип транзистора：NPN
- Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce：120 @ 500mA, 3V
- Ток - отсечка коллектора (макс)：1μA (ICBO)
- Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic：300mV @ 100mA, 2A
- Напряжение - пробой коллектора-эмиттера (макс.)：80 V
- Частота перехода：280MHz
- Частота - Переход：280MHz
- Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО)：80 V
- Прямоходящий ток коллектора：4A
- Категория продукта：Bipolar Transistors - BJT
Со склада 5985
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
