(0)
Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные SIHK125N60EF-T1GE3
Изображение служит лишь для справки
SIHK125N60EF-T1GE3
-
Vishay Siliconix
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- 8-PowerBSFN
- E SERIES POWER MOSFET WITH FAST
Date Sheet
Lagernummer 1863
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Вид крепления：Surface Mount
- Корпус / Кейс：8-PowerBSFN
- Mfr：Vishay Siliconix
- Состояние продукта：Active
- Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：21A (Tc)
- Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On)：10V
- Максимальная мощность рассеяния：132W (Tc)
- Усилительный напряжение разрыва Drain-Source：40 V
- Время типичного задержки включения：30 ns
- Втс - Пороговая напряжённость канала-истока：2.5 V
- Распад мощности：65.7 W
- Полярность транзистора：N-Channel
- Максимальная рабочая температура：+ 150 C
- Усв：- 16 V, + 20 V
- Минимальная температура работы：- 55 C
- Пакетная партия производителя：3000
- Монтажные варианты：SMD/SMT
- Минимальная прямая транконductанс：98 S
- Режим канала：Enhancement
- Производитель：Vishay
- Бренд：Vishay Semiconductors
- Зарядная характеристика ворот：70 nC
- Допустимый коэффициент сопротивления на дрен-исток：2.3 mOhms
- РХОС：Details
- Время задержки отключения типичного：64 ns
- Id - Непрерывный ток разряда：35.4 A
- Серия：EF
- Рабочая температура：-55°C ~ 150°C
- Пакетирование：MouseReel
- Подкатегория：MOSFETs
- Каналов количество：1 Channel
- Тип ТРВ：N-Channel
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：125mOhm @ 12A, 10V
- Втс(th) (Макс) @ Id：5V @ 250μA
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：1863 pF @ 100 V
- Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：45 nC @ 10 V
- Время подъема：12 ns
- Напряжение стока-исток (Vdss)：600 V
- Угол настройки (макс.)：±30V
- Тип продукта：MOSFET
- Тип транзистора：1 N-Channel
- Характеристика ТРП：-
- Категория продукта：MOSFET
Со склада 1863
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
