(0)
Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные SQJ409EP-T2_GE3
Изображение служит лишь для справки
SQJ409EP-T2_GE3
-
Vishay Siliconix
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- -
- P-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET
Date Sheet
Lagernummer 20675
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Вид крепления：Surface Mount
- Mfr：Vishay Siliconix
- Состояние продукта：Active
- Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：60A (Tc)
- Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On)：4.5V, 10V
- Максимальная мощность рассеяния：68W (Tc)
- Прямоходящий ток вывода Id：60
- Усилительный напряжение разрыва Drain-Source：40 V
- Втс - Пороговая напряжённость канала-истока：2 V
- Распад мощности：68 W
- Полярность транзистора：P-Channel
- Максимальная рабочая температура：+ 175 C
- Усв：- 20 V, + 20 V
- Минимальная температура работы：- 55 C
- Пакетная партия производителя：3000
- Монтажные варианты：SMD/SMT
- Режим канала：Enhancement
- Производитель：Vishay
- Бренд：Vishay / Siliconix
- Зарядная характеристика ворот：170 nC
- Торговое наименование：TrenchFET
- Допустимый коэффициент сопротивления на дрен-исток：7 mOhms
- РХОС：Details
- Id - Непрерывный ток разряда：60 A
- Рабочая температура：-55°C ~ 175°C (TJ)
- Пакетирование：MouseReel
- Подкатегория：MOSFETs
- Каналов количество：1 Channel
- Распад мощности：68
- Тип ТРВ：P-Channel
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：7mOhm @ 10A, 10V
- Втс(th) (Макс) @ Id：2.5V @ 250μA
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：11000 pF @ 25 V
- Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：260 nC @ 10 V
- Напряжение стока-исток (Vdss)：40 V
- Угол настройки (макс.)：±20V
- Тип продукта：MOSFET
- Характеристика ТРП：-
- Категория продукта：MOSFET
Со склада 20675
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
