Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные BSC023N08NS5SCATMA1
Изображение служит лишь для справки
BSC023N08NS5SCATMA1
-
Infineon Technologies
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- PG-WSON-8
- TRENCH 40<-<100V
Date Sheet
Lagernummer 0
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Корпус / Кейс：PG-WSON-8
- Mfr：Infineon Technologies
- Состояние продукта：Active
- Пакетная партия производителя：4000
- Партийные обозначения：BSC023N08NS5SC SP005561403
- Производитель：Infineon
- Бренд：Infineon Technologies
- РХОС：Details
- Усилительный напряжение разрыва Drain-Source：80 V
- Втс - Пороговая напряжённость канала-истока：2.2 V
- Распад мощности：3 W
- Полярность транзистора：N-Channel
- Максимальная рабочая температура：+ 175 C
- Усв：- 20 V, + 20 V
- Минимальная температура работы：- 55 C
- Монтажные варианты：SMD/SMT
- Режим канала：Enhancement
- Зарядная характеристика ворот：78 nC
- Допустимый коэффициент сопротивления на дрен-исток：2.3 mOhms
- Id - Непрерывный ток разряда：202 A
- Серия：-
- Пакетирование：Reel
- Подкатегория：MOSFETs
- Каналов количество：1 Channel
- Тип продукта：MOSFET
- Категория продукта：MOSFET
Со склада 0
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты