(0)
Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Массивы NXH010P90MNF1PTG
Изображение служит лишь для справки
NXH010P90MNF1PTG
-
onsemi
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Массивы
- Module
- PIM F1 SIC HALFBRIDGE 900V 10MOH
Date Sheet
Lagernummer 2335
- 1+： $107.43775
- 10+： $101.35637
- 100+： $95.61922
- 500+： $90.20681
- 1000+： $85.10076
Zwischensummenbetrag $107.43775
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Вид крепления：Chassis Mount
- Корпус / Кейс：Module
- Поставщик упаковки устройства：-
- Mfr：onsemi
- Пакет：Tray
- Состояние продукта：Active
- Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：154A (Tc)
- Формат упаковки：F1-2PACK
- Прямоходящий ток вывода Id：154A
- Обратное напряжение：900 V
- Максимальная рабочая температура：+ 150 C
- Усв：- 15 V, + 25 V
- Минимальная температура работы：- 40 C
- Пакетная партия производителя：28
- Монтажные варианты：Press Fit
- Производитель：onsemi
- Бренд：onsemi
- Серия：-
- Рабочая температура：-40°C ~ 150°C (TJ)
- Пакетирование：Tray
- Тип：Half Bridge Module
- Подкатегория：Discrete Semiconductor Modules
- Технология：SiC
- Распад мощности：328W
- Мощность - Макс：328W (Tj)
- Тип ТРВ：2 N-Channel (Dual) Common Source
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：14mOhm @ 100A, 15V
- Втс(th) (Макс) @ Id：4.3V @ 40mA
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：7007pF @ 450V
- Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：546.4nC @ 15V
- Напряжение стока-исток (Vdss)：900V
- Тип продукта：Discrete Semiconductor Modules
- Канальный тип：Dual N Channel
- Характеристика ТРП：Silicon Carbide (SiC)
- Продукт：Power MOSFET Modules
- Категория продукта：Discrete Semiconductor Modules
Со склада 2335
- 1+： $107.43775
- 10+： $101.35637
- 100+： $95.61922
- 500+： $90.20681
- 1000+： $85.10076
Итого $107.43775
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
