Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные JANTXV2N6649
Изображение служит лишь для справки
JANTXV2N6649
- Microchip
- Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- TO-204AA-2
- MOSFET Power BJT
- Date Sheet
Lagernummer 2466
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Корпус / Кейс:TO-204AA-2
- Вид крепления:Through Hole
- Поверхностный монтаж:NO
- Поставщик упаковки устройства:TO-204AA (TO-3)
- Количество терминалов:2
- Материал элемента транзистора:SILICON
- Вес единицы:0.229281 oz
- Пакетная партия производителя:1
- Монтажные варианты:Through Hole
- РХОС:N
- Пакет:Bulk
- Максимальный коллекторный ток (Ic):10 A
- Mfr:Microchip Technology
- Состояние продукта:Active
- Описание пакета:FLANGE MOUNT, O-MBFM-P2
- Форма упаковки:FLANGE MOUNT
- Материал корпуса пакета:METAL
- Минимальная температура работы:-65 °C
- Температура работы-Макс:175 °C
- Артикул Производителя:JANTXV2N6649
- Форма упаковки:ROUND
- Количество элементов:1
- Код цикла жизни компонента:Active
- Производитель IHS:VPT COMPONENTS
- Ранг риска:5.77
- Пакетирование:Tray
- Рабочая температура:-65°C ~ 175°C (TJ)
- Серия:Military, MIL-PRF-19500/527
- Положение терминала:BOTTOM
- Форма вывода:PIN/PEG
- Код соответствия REACH:unknown
- Нормативная Марка:MIL-19500
- Код JESD-30:O-MBFM-P2
- Конфигурация:DARLINGTON WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR
- Сокетная связка:COLLECTOR
- Мощность - Макс:5 W
- Применение транзистора:AMPLIFIER
- Полярность/Тип канала:PNP
- Тип транзистора:PNP - Darlington
- Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce:1000 @ 5A, 3V
- Ток - отсечка коллектора (макс):1mA (ICBO)
- Код JEDEC-95:TO-204AA
- Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic:3V @ 100mA, 10A
- Напряжение - пробой коллектора-эмиттера (макс.):60 V
- Частота - Переход:-
- Максимальный ток коллектора (IC):10 A
- Минимальный коэффициент усиления постоянного тока (hFE):100
- Максимальное напряжение коллектор-эмиссия:60 V
Со склада 2466
Итого $0.00000