JAN2N5745

Name: Microchip JAN2N5745
Brand: Microchip
Rating: 4.7 (9 reviews)

Microchip
Транзисторы - Биполярные (BJT) - Одинарные
TO-3-2
Bipolar Transistors - BJT Power BJT
Date Sheet

Lagernummer 48

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Корпус / Кейс：TO-3-2
Вид крепления：Through Hole
Поверхностный монтаж：NO
Поставщик упаковки устройства：TO-3
Количество терминалов：2
Материал элемента транзистора：SILICON
РХОС：N
Монтажные варианты：Through Hole
Полярность транзистора：PNP
Максимальное напряжение коллектора-эммиттера VCEO：80 V
Эмиттер-основное напряжение ВЭБО：5 V
Распад мощности：5 W
Параметр частотно-уровневого продукта fT：-
Минимальная температура работы：- 55 C
Максимальная рабочая температура：+ 200 C
Коэффициент усиления коллектора/базы постоянного тока hfe мин.：40
Максимальная коэффициент усиления постоянного тока hFE：250
Пакетная партия производителя：1
Пакет：Bulk
Максимальный коллекторный ток (Ic)：100 µA
Mfr：Microchip Technology
Состояние продукта：Active
Описание пакета：TO-3, 2 PIN
Форма упаковки：FLANGE MOUNT
Материал корпуса пакета：METAL
Температура работы-Макс：200 °C
Траниционный частотный предел (fT)：2 MHz
Артикул Производителя：JAN2N5745
Форма упаковки：ROUND
Количество элементов：1
Код цикла жизни компонента：Active
Производитель IHS：MICROSEMI CORP
Ранг риска：5.24
Код упаковки компонента：TO-204AA
Пакетирование：Tray
Рабочая температура：-55°C ~ 200°C (TJ)
Серия：Military, MIL-PRF-19500/433
Код JESD-609：e0
Код ECCN：EAR99
Конечная обработка контакта：TIN LEAD
Код ТН ВЭД：8541.29.00.95
Положение терминала：BOTTOM
Форма вывода：PIN/PEG
Код соответствия REACH：compliant
Число контактов：2
Нормативная Марка：MIL-19500/433F
Код JESD-30：O-MBFM-P2
Квалификационный Статус：Qualified
Конфигурация：Single
Сокетная связка：COLLECTOR
Мощность - Макс：5 W
Применение транзистора：SWITCHING
Полярность/Тип канала：PNP
Тип транзистора：PNP
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce：15 @ 10A, 2V
Ток - отсечка коллектора (макс)：100µA
Код JEDEC-95：TO-3
Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic：1V @ 1A, 10A
Напряжение - пробой коллектора-эмиттера (макс.)：80 V
Частота - Переход：-
Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО)：80 V
Максимальная потеря мощности (абс.)：200 W
Максимальный ток коллектора (IC)：20 A
Минимальный коэффициент усиления постоянного тока (hFE)：15
Прямоходящий ток коллектора：20 A
Максимальное напряжение коллектор-эмиссия：80 V

Со склада 48

Итого $0.00000