Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные IQE050N08NM5SCATMA1
Изображение служит лишь для справки
IQE050N08NM5SCATMA1
Lagernummer 4025
- 1+: $3.01846
- 10+: $2.84760
- 100+: $2.68642
- 500+: $2.53436
- 1000+: $2.39090
Zwischensummenbetrag $3.01846
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Корпус / Кейс:PG-WHSON-8
- Вид крепления:Surface Mount
- Поставщик упаковки устройства:PG-WHSON-8-1
- Монтажные варианты:SMD/SMT
- Полярность транзистора:N-Channel
- Усилительный напряжение разрыва Drain-Source:80 V
- Id - Непрерывный ток разряда:16 A
- Допустимый коэффициент сопротивления на дрен-исток:5 mOhms
- Усв:- 20 V, + 20 V
- Втс - Пороговая напряжённость канала-истока:3.8 V
- Зарядная характеристика ворот:44 nC
- Минимальная температура работы:- 55 C
- Максимальная рабочая температура:+ 175 C
- Распад мощности:2.5 W
- Режим канала:Enhancement
- Минимальная прямая транконductанс:50 S
- Пакетная партия производителя:6000
- Время задержки отключения типичного:16.1 ns
- Время типичного задержки включения:9.4 ns
- Партийные обозначения:IQE050N08NM5SC SP005559072
- Пакет:Tape & Reel (TR);Cut Tape (CT);Digi-Reel®;
- Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C:16A (Ta), 99A (Tc)
- Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On):6V, 10V
- Mfr:Infineon Technologies
- Максимальная мощность рассеяния:2.5W (Ta), 100W (Tc)
- Состояние продукта:Active
- Рабочая температура:-55°C ~ 175°C (TJ)
- Серия:OptiMOS™ 5
- Каналов количество:1 Channel
- Тип ТРВ:N-Channel
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs:5mOhm @ 20A, 10V
- Втс(th) (Макс) @ Id:3.8V @ 49µA
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds:2900 pF @ 40 V
- Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs:44 nC @ 10 V
- Время подъема:4.6 ns
- Напряжение стока-исток (Vdss):80 V
- Угол настройки (макс.):±20V
- Тип транзистора:1 N-Channel
- Характеристика ТРП:-
Со склада 4025
- 1+: $3.01846
- 10+: $2.84760
- 100+: $2.68642
- 500+: $2.53436
- 1000+: $2.39090
Итого $3.01846