Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные JANSR2N7593U3
Изображение служит лишь для справки
JANSR2N7593U3
- Microchip
- Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- U3-3
- MOSFET RH Power BJT
- Date Sheet
Lagernummer 769
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Корпус / Кейс:U3-3
- Вид крепления:Surface Mount
- Поставщик упаковки устройства:U3 (SMD-0.5)
- РХОС:N
- Монтажные варианты:SMD/SMT
- Полярность транзистора:N-Channel
- Усилительный напряжение разрыва Drain-Source:250 V
- Id - Непрерывный ток разряда:12.4 A
- Допустимый коэффициент сопротивления на дрен-исток:210 mOhms
- Усв:- 20 V, + 20 V
- Втс - Пороговая напряжённость канала-истока:4 V
- Зарядная характеристика ворот:50 nC
- Минимальная температура работы:- 55 C
- Максимальная рабочая температура:+ 150 C
- Распад мощности:75 W
- Режим канала:Enhancement
- Минимальная прямая транконductанс:8.8 S
- Пакетная партия производителя:1
- Время задержки отключения типичного:60 ns
- Время типичного задержки включения:18 ns
- Пакет:Tray
- Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C:12.4A (Tc)
- Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On):12V
- Mfr:Microchip Technology
- Максимальная мощность рассеяния:75W (Tc)
- Состояние продукта:Active
- Пакетирование:Tray
- Рабочая температура:-55°C ~ 150°C (TJ)
- Серия:-
- Каналов количество:1 Channel
- Тип ТРВ:N-Channel
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs:210mOhm @ 7.8A, 12V
- Втс(th) (Макс) @ Id:4V @ 1mA
- Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs:50 nC @ 12 V
- Время подъема:30 ns
- Напряжение стока-исток (Vdss):250 V
- Угол настройки (макс.):±20V
- Тип транзистора:1 N-Channel
- Характеристика ТРП:-
Со склада 769
Итого $0.00000