NVMYS016N10MCLTWG

Name: ON Semiconductor NVMYS016N10MCLTWG
Brand: ON Semiconductor
Rating: 4.9 (13 reviews)

ON Semiconductor
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
LFPAK-4
MOSFET PTNG 100V LL LFPAK4
Date Sheet

Lagernummer 1970

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Корпус / Кейс：LFPAK-4
Вид крепления：Surface Mount
Поставщик упаковки устройства：LFPAK4 (5x6)
Монтажные варианты：SMD/SMT
Полярность транзистора：N-Channel
Усилительный напряжение разрыва Drain-Source：100 V
Id - Непрерывный ток разряда：46 A
Допустимый коэффициент сопротивления на дрен-исток：20 mOhms
Усв：- 20 V, + 20 V
Втс - Пороговая напряжённость канала-истока：3 V
Зарядная характеристика ворот：19 nC
Минимальная температура работы：- 55 C
Максимальная рабочая температура：+ 175 C
Распад мощности：131 W
Режим канала：Enhancement
Минимальная прямая транконductанс：42 S
Пакетная партия производителя：3000
Время задержки отключения типичного：26 ns
Время типичного задержки включения：10 ns
Пакет：Tape & Reel (TR)
Основной номер продукта：NVMYS016
Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：10.9A (Ta), 46A (Tc)
Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On)：4.5V, 10V
Mfr：onsemi
Максимальная мощность рассеяния：3.6W (Ta), 64W (Tc)
Состояние продукта：Active
Серия：NVMYS016N10MCL
Пакетирование：Reel
Рабочая температура：-55°C ~ 175°C (TJ)
Конфигурация：Single
Каналов количество：1 Channel
Тип ТРВ：N-Channel
Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：14mOhm @ 11A, 10V
Втс(th) (Макс) @ Id：3V @ 64µA
Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：1250 pF @ 50 V
Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：19 nC @ 10 V
Время подъема：3.4 ns
Напряжение стока-исток (Vdss)：100 V
Угол настройки (макс.)：±20V
Характеристика ТРП：-

Со склада 1970

Итого $0.00000