(0)
Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Массивы IXTY44N10T
Изображение служит лишь для справки
Lagernummer 324
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Евро РОШ：Compliant with Exemption
- HTS：8541.29.00.95
- Автомобильные：Unknown
- Пакет подготовки для производства：Unknown
- Категория：Power MOSFET
- Технология производства：TrenchFET
- Режим канала：Enhancement
- Число элементов на чипе：1
- Максимальное напряжение источника тока (В)：100
- Максимальное напряжение источника транзистора (В)：±20
- Максимальный непрерывный ток утечки (А)：44
- Типовая зарядка ворот @ Vgs (нC)：27.4@10V
- Типовая зарядка ворот @ 10 В (нк)：27.4
- Типовая емкость входа @ Vds (пФ)：1567@25V
- Максимальная мощность рассеяния (мВт)：130000
- Время падения типового (ns)：32
- Время подъема типового сигнала (нс)：47
- Время задержки отключения типовая (сек)：36
- Время задержки включения типового (ns)：21
- Минимальная температура работы (°C)：-55
- Максимальная температура эксплуатации (°C)：175
- Монтаж：Surface Mount
- Высота корпуса：2.4(Max)
- Ширина пакета：6.22(Max)
- Длина корпуса：6.73(Max)
- Плата изменена：2
- Tab：Tab
- Поставщикская упаковка：DPAK
- Квалификация：-
- Прямоходящий ток вывода Id：44A
- Состояние изделия：Active
- Число контактов：3
- Конфигурация：Single
- Распад мощности：130W
- Канальный тип：N
Со склада 324
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
