(0)
Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Массивы MMIX1F520N075T2
Изображение служит лишь для справки
MMIX1F520N075T2
Lagernummer 0
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Материал：Si
- Евро РОШ：Compliant
- HTS：8542.39.00.01
- Автомобильные：No
- Пакет подготовки для производства：No
- Категория：Power MOSFET
- Технология производства：GigaMOS
- Режим канала：Enhancement
- Число элементов на чипе：1
- Максимальное напряжение источника тока (В)：75
- Максимальное напряжение источника транзистора (В)：±20
- Максимальный непрерывный ток утечки (А)：500
- Типовая зарядка ворот @ Vgs (нC)：545@10V
- Типовая зарядка ворот @ 10 В (нк)：545
- Типовая емкость входа @ Vds (пФ)：41000@25V
- Максимальная мощность рассеяния (мВт)：830000
- Время падения типового (ns)：35
- Время подъема типового сигнала (нс)：36
- Минимальная температура работы (°C)：-55
- Максимальная температура эксплуатации (°C)：175
- Монтаж：Surface Mount
- Высота корпуса：5.55(Max)
- Ширина пакета：23.25(Max)
- Длина корпуса：25.25(Max)
- Плата изменена：21
- Стандартное наименование упаковки：SMD
- Поставщикская упаковка：SMPD-X
- Состояние изделия：Active
- Число контактов：21
- Конфигурация：Single
- Канальный тип：N
Со склада 0
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
