Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Массивы SI4431DY
Изображение служит лишь для справки
![](/_nuxt/img/icon1.a69e55e.png)
![](/_nuxt/img/icon2.6564a3d.png)
![](/_nuxt/img/icon3.dfeeaa2.png)
![](/_nuxt/img/icon4.c64d914.png)
![](/_nuxt/img/icon5.db8ede5.png)
![](/_nuxt/img/icon6.f17f115.png)
Lagernummer 7125
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Евро РОШ:Compliant
- ЭККН (США):EAR99
- Автомобильные:No
- Пакет подготовки для производства:No
- Категория:Power MOSFET
- Режим канала:Enhancement
- Число элементов на чипе:1
- Максимальное напряжение источника тока (В):30
- Максимальное напряжение источника транзистора (В):±20
- Максимальный непрерывный ток утечки (А):6.3
- Типовая зарядка ворот @ Vgs (нC):18@10V
- Типовая зарядка ворот @ 10 В (нк):18
- Типовая емкость входа @ Vds (пФ):930@15V
- Максимальная мощность рассеяния (мВт):2500
- Время падения типового (ns):13
- Время подъема типового сигнала (нс):11
- Время задержки отключения типовая (сек):33
- Время задержки включения типового (ns):12
- Минимальная температура работы (°C):-55
- Максимальная температура эксплуатации (°C):150
- Монтаж:Surface Mount
- Высота корпуса:1.65(Max)
- Ширина пакета:3.9
- Длина корпуса:4.9
- Плата изменена:8
- Стандартное наименование упаковки:SOP
- Поставщикская упаковка:SOIC N
- Форма вывода:Gull-wing
- Пакетирование:Tape and Reel
- Состояние изделия:Obsolete
- Число контактов:8
- Конфигурация:Single Quad Drain Triple Source
- Канальный тип:P
Со склада 7125
Итого $0.00000