(0)
Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Массивы IRFR110ATF
Изображение служит лишь для справки
Lagernummer 0
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Евро РОШ：Compliant
- ЭККН (США)：EAR99
- Автомобильные：No
- Пакет подготовки для производства：No
- Категория：Power MOSFET
- Режим канала：Enhancement
- Число элементов на чипе：1
- Максимальное напряжение источника тока (В)：100
- Максимальное напряжение источника транзистора (В)：±20
- Максимальный непрерывный ток утечки (А)：4.7
- Типовая зарядка ворот @ Vgs (нC)：8.5@10V
- Типовая зарядка ворот @ 10 В (нк)：8.5
- Типовая емкость входа @ Vds (пФ)：190@25V
- Максимальная мощность рассеяния (мВт)：2500
- Время падения типового (ns)：18
- Время подъема типового сигнала (нс)：14
- Время задержки отключения типовая (сек)：28
- Время задержки включения типового (ns)：10
- Минимальная температура работы (°C)：-55
- Максимальная температура эксплуатации (°C)：150
- Монтаж：Surface Mount
- Высота корпуса：2.3
- Ширина пакета：6.1
- Длина корпуса：6.6
- Плата изменена：2
- Tab：Tab
- Стандартное наименование упаковки：TO-252
- Поставщикская упаковка：DPAK
- Пакетирование：Tape and Reel
- Состояние изделия：Obsolete
- Число контактов：3
- Конфигурация：Single
- Канальный тип：N
Со склада 0
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
