Изображение служит лишь для справки
Lagernummer 0
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Материал:Silicon
- Евро РОШ:Compliant
- ЭККН (США):EAR99
- Автомобильные:No
- Пакет подготовки для производства:No
- Тип фототранзистора:Phototransistor
- Форма линзы:Flat
- Каналов на чипе:1
- Угол половины интенсивности градусы:120
- Ориентация просмотра:Top View
- Максимальная длина волны (нм):570
- Максимальный ток света (мкА):350
- Максимальный ток коллектора (мА):20
- Максимальный ток темного заряда (нА):3
- Максимальное напряжение эмиттер-коллекторное (В):0.5
- Максимальное напряжение коллектор-эмиссия (В):5.5
- Максимальное напряжение насыщения коллектора-эммитера (В):0.1
- Технология производства:NPN Transistor
- Минимальная температура работы (°C):-40
- Максимальная температура эксплуатации (°C):85
- Монтаж:Surface Mount
- Ширина пакета:1.35(Max)
- Длина корпуса:2.1(Max)
- Плата изменена:2
- Поставщикская упаковка:Chip LED
- Состояние изделия:Unconfirmed
- Тип:Chip
- Число контактов:2
- Направленность:NPN
Со склада 0
Итого $0.00000