Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные BUK7107-55ATE,118
Изображение служит лишь для справки
BUK7107-55ATE,118
- NXP
- Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- Axial
- MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK
- Date Sheet
Lagernummer 0
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Корпус / Кейс:Axial
- Вид крепления:Surface Mount
- Поставщик упаковки устройства:Axial
- Пакет:Bulk
- Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C:75A (Ta)
- Mfr:NXP USA Inc.
- Максимальная мощность рассеяния:272W (Ta)
- Состояние продукта:Active
- Рабочая температура:-65°C ~ 350°C
- Серия:CW
- Пакетирование:Tape & Reel (TR)
- Размер / Размерность:0.375 Dia x 1.781 L (9.52mm x 45.24mm)
- Допуск:±5%
- Состояние изделия:Active
- Количество выводов:2
- Коэффициент температурной зависимости:±30ppm/°C
- Сопротивление:51 kOhms
- Состав:Wirewound
- Мощность (ватт):13W
- Технология:MOSFET (Metal Oxide)
- Срок службы:--
- Тип ТРВ:N-Channel
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs:7mOhm @ 50A, 10V
- Втс(th) (Макс) @ Id:4V @ 1mA
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds:4500 pF @ 25 V
- Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs:116 nC @ 10 V
- Напряжение стока-исток (Vdss):55 V
- Угол настройки (макс.):±20V
- Характеристика ТРП:-
- Характеристики:Moisture Resistant
- Высота сидения (макс.):--
Со склада 0
Итого $0.00000