Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные BSC130P03LS G
Изображение служит лишь для справки
BSC130P03LS G
- Infineon
- Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- -
- P-CHANNEL POWER MOSFET
- Date Sheet
Lagernummer 8
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Срок поставки от производителя:1 Week
- Поверхностный монтаж:YES
- Количество терминалов:5
- Материал элемента транзистора:SILICON
- Пакет:Retail Package
- Mfr:Glenair
- Состояние продукта:Active
- Описание пакета:GREEN, PLASTIC, TDSON-8
- Форма упаковки:SMALL OUTLINE
- Уровни чувствительности к влажности:1
- Материал корпуса пакета:PLASTIC/EPOXY
- Максимальная температура рефлоу:40
- Температура работы-Макс:175 °C
- Рохс Код:Yes
- Артикул Производителя:BSC130P03LSG
- Форма упаковки:RECTANGULAR
- Производитель:Infineon Technologies AG
- Количество элементов:1
- Код цикла жизни компонента:Obsolete
- Производитель IHS:INFINEON TECHNOLOGIES AG
- Ранг риска:8.56
- Максимальный ток утечки (ID):12 A
- Серия:*
- Код JESD-609:e3
- Безоловая кодировка:Yes
- Код ECCN:EAR99
- Конечная обработка контакта:Matte Tin (Sn)
- Дополнительная Характеристика:AVALANCHE RATED, LOGIC LEVEL COMPATIBLE
- Подкатегория:Other Transistors
- Положение терминала:DUAL
- Форма вывода:FLAT
- Температура пайки (пиковая) (°C):260
- Код соответствия REACH:compliant
- Число контактов:8
- Код JESD-30:R-PDSO-F5
- Квалификационный Статус:Not Qualified
- Конфигурация:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
- Режим работы:ENHANCEMENT MODE
- Сокетная связка:DRAIN
- Полярность/Тип канала:P-CHANNEL
- Максимальный сливовой ток (ID):22.5 A
- Сопротивление открытого канала-макс:0.013 Ω
- Максимальный импульсный ток вывода:90 A
- Минимальная напряжённость разрушения:30 V
- Рейтинг энергии лавины (Eas):148 mJ
- Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток):METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
- Максимальная потеря мощности (абс.):69 W
Со склада 8
Итого $0.00000