(0)
Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные BSZ042N04NS G
Изображение служит лишь для справки
BSZ042N04NS G
-
Infineon
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- 4-SMD, No Lead
- MOSFET N-CH 40V 40A TO220AB
Date Sheet
Lagernummer 320
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Срок поставки от производителя：1 Week
- Вид крепления：Surface Mount
- Корпус / Кейс：4-SMD, No Lead
- Поверхностный монтаж：YES
- Поставщик упаковки устройства：TO-220AB
- Количество терминалов：5
- Материал элемента транзистора：SILICON
- Mfr：EPSON
- Состояние продукта：Active
- Пакет：Tape & Reel (TR)
- Основной номер продукта：SG-8101
- Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：40A (Tc)
- Максимальная мощность рассеяния：2.1W (Ta), 69W (Tc)
- Форма упаковки：RECTANGULAR
- Производитель：Infineon Technologies AG
- Количество элементов：1
- Код цикла жизни компонента：Obsolete
- Максимальный ток утечки (ID)：40 A
- Ранг риска：5.8
- Производитель IHS：INFINEON TECHNOLOGIES AG
- Артикул Производителя：BSZ042N04NSG
- Рохс Код：Yes
- Температура работы-Макс：175 °C
- Максимальная температура рефлоу：40
- Материал корпуса пакета：PLASTIC/EPOXY
- Уровни чувствительности к влажности：1
- Форма упаковки：SMALL OUTLINE
- Описание пакета：GREEN, PLASTIC, TSDSON-8
- Рабочая температура：-40°C ~ 85°C
- Серия：SG-8101
- Размер / Размерность：0.126 L x 0.098 W (3.20mm x 2.50mm)
- Код JESD-609：e3
- Безоловая кодировка：Yes
- Код ECCN：EAR99
- Тип：XO (Standard)
- Конечная обработка контакта：Matte Tin (Sn)
- Дополнительная Характеристика：AVALANCHE RATED, HIGH VOLTAGE
- Подкатегория：FET General Purpose Power
- Технология：MOSFET (Metal Oxide)
- Напряжение - Питание：1.8V ~ 3.3V
- Положение терминала：DUAL
- Форма вывода：NO LEAD
- Температура пайки (пиковая) (°C)：260
- Код соответствия REACH：compliant
- Частота：21.1 MHz
- Частотная стабильность：±15ppm
- Выход：CMOS
- Число контактов：8
- Код JESD-30：R-PDSO-N5
- Функция：Standby (Power Down)
- Базовый резонатор：Crystal
- Ток - Питание (Макс.)：6.8mA (Typ)
- Квалификационный Статус：Not Qualified
- Ток - Подача (Отключить) (Макс.)：1.1µA
- Конфигурация：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
- Режим работы：ENHANCEMENT MODE
- Сокетная связка：DRAIN
- Ширина спектра разброса：-
- Тип ТРВ：N-Channel
- Применение транзистора：SWITCHING
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：4.2mOhm @ 20A, 10V
- Втс(th) (Макс) @ Id：4V @ 36µA
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：3700 pF @ 20 V
- Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：46 nC @ 10 V
- Напряжение стока-исток (Vdss)：40 V
- Угол настройки (макс.)：±20V
- Полярность/Тип канала：N-CHANNEL
- Максимальный сливовой ток (ID)：40 A
- Сопротивление открытого канала-макс：0.0042 Ω
- Максимальный импульсный ток вывода：160 A
- Минимальная напряжённость разрушения：40 V
- Рейтинг энергии лавины (Eas)：150 mJ
- Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток)：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
- Максимальная потеря мощности (абс.)：69 W
- Абсолютный диапазон подтяжки (АДП)：-
- Характеристика ТРП：-
- Высота сидения (макс.)：0.047 (1.20mm)
- Оценки：-
Со склада 320
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
