(0)
Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные SPW35N60C3FKSA1
Изображение служит лишь для справки
SPW35N60C3FKSA1
Lagernummer 0
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Вид крепления：Through Hole
- Корпус / Кейс：TO-247-3
- Поставщик упаковки устройства：PG-TO247-3
- РХОС：Non-Compliant
- Состояние без свинца / Состояние по RoHS：Lead free / RoHS Compliant
- Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：34.6A (Tc)
- Другие Названия：SP000014970 SPW35N60C3 SPW35N60C3-ND SPW35N60C3IN SPW35N60C3IN-ND SPW35N60C3X SPW35N60C3XK
- Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On)：10V
- Максимальная мощность рассеяния：313W (Tc)
- Рабочая температура：-55°C ~ 150°C (TJ)
- Серия：CoolMOS™
- Пакетирование：Tube
- Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
- Технология：MOSFET (Metal Oxide)
- Тип ТРВ：N-Channel
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：100 mOhm @ 21.9A, 10V
- Втс(th) (Макс) @ Id：3.9V @ 1.9mA
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：4500pF @ 25V
- Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：200nC @ 10V
- Напряжение стока-исток (Vdss)：650V
- Угол настройки (макс.)：±20V
- Характеристика ТРП：-
Со склада 0
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
