(0)
Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные FDFS2P102A
Изображение служит лишь для справки
FDFS2P102A
-
AMI Semiconductor
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
Date Sheet
Lagernummer 0
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Вид крепления：Surface Mount
- Корпус / Кейс：8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
- Поставщик упаковки устройства：8-SO
- Состояние без свинца / Состояние по RoHS：Lead free / RoHS Compliant
- Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：3.3A (Ta)
- Другие Названия：FDFS2P102A_NL FDFS2P102A_NLTR FDFS2P102A_NLTR-ND FDFS2P102ATR
- Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On)：4.5V, 10V
- Максимальная мощность рассеяния：900mW (Ta)
- Рабочая температура：-55°C ~ 150°C (TJ)
- Серия：PowerTrench®
- Пакетирование：Tape & Reel (TR)
- Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
- Технология：MOSFET (Metal Oxide)
- Тип ТРВ：P-Channel
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：125 mOhm @ 3.3A, 10V
- Втс(th) (Макс) @ Id：3V @ 250µA
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：182pF @ 10V
- Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：3nC @ 5V
- Напряжение стока-исток (Vdss)：20V
- Угол настройки (макс.)：±20V
- Характеристика ТРП：Schottky Diode (Isolated)
Со склада 0
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
