(0)
Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные BS170_J35Z
Изображение служит лишь для справки
BS170_J35Z
-
AMI Semiconductor
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
Date Sheet
Lagernummer 0
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Вид крепления：Through Hole
- Корпус / Кейс：TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
- Поставщик упаковки устройства：TO-92-3
- Состояние без свинца / Состояние по RoHS：Lead free / RoHS Compliant
- Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：500mA (Ta)
- Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On)：10V
- Максимальная мощность рассеяния：830mW (Ta)
- Рабочая температура：-55°C ~ 150°C (TJ)
- Серия：-
- Пакетирование：Bulk
- Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
- Технология：MOSFET (Metal Oxide)
- Основной номер части：BS170
- Тип ТРВ：N-Channel
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：5 Ohm @ 200mA, 10V
- Втс(th) (Макс) @ Id：3V @ 1mA
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：40pF @ 10V
- Напряжение стока-исток (Vdss)：60V
- Угол настройки (макс.)：±20V
- Характеристика ТРП：-
Со склада 0
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
