RX3R05BBHC16

Name: ROHM Semiconductor RX3R05BBHC16
Brand: ROHM Semiconductor
Price: 3.228869 USD
Availability: InStock
Rating: 4.5 (19 reviews)

ROHM Semiconductor
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
TO-220-3
NCH 150V 50A, TO-220AB, POWER MO
Date Sheet

Lagernummer 1033

1+： $3.22887
10+： $3.04610
100+： $2.87368
500+： $2.71102
1000+： $2.55757

Zwischensummenbetrag $3.22887

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Вид крепления：Through Hole
Корпус / Кейс：TO-220-3
Поставщик упаковки устройства：TO-220AB
Пакет：Tube
Основной номер продукта：RX3R05
Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：50A (Ta)
Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On)：6V, 10V
Mfr：Rohm Semiconductor
Максимальная мощность рассеяния：89W (Ta)
Состояние продукта：Active
Усилительный напряжение разрыва Drain-Source：150 V
Втс - Пороговая напряжённость канала-истока：4 V
Распад мощности：89 W
Полярность транзистора：N-Channel
Максимальная рабочая температура：+ 150 C
Усв：- 20 V, + 20 V
Минимальная температура работы：- 55 C
Монтажные варианты：Through Hole
Режим канала：Enhancement
Зарядная характеристика ворот：16.7 nC
Допустимый коэффициент сопротивления на дрен-исток：35 mOhms
Id - Непрерывный ток разряда：50 A
Рабочая температура：150°C (TJ)
Серия：-
Технология：MOSFET (Metal Oxide)
Каналов количество：1 Channel
Тип ТРВ：N-Channel
Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：29mOhm @ 25A, 10V
Втс(th) (Макс) @ Id：4V @ 1mA
Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：2150 pF @ 75 V
Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：37 nC @ 10 V
Напряжение стока-исток (Vdss)：150 V
Угол настройки (макс.)：±20V
Характеристика ТРП：-

Со склада 1033

1+： $3.22887
10+： $3.04610
100+： $2.87368
500+： $2.71102
1000+： $2.55757

Итого $3.22887