(0)
Изображение служит лишь для справки
IXGP2N100
-
IXYS
-
Транзисторы - IGBT - Одинарные
- TO-220-3
- Trans IGBT Chip N-CH 1KV 4A 3-Pin(3+Tab) TO-220
Date Sheet
Lagernummer 11
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Срок поставки от производителя：6 Weeks
- Монтаж：Through Hole
- Вид крепления：Through Hole
- Корпус / Кейс：TO-220-3
- Вес：2.299997g
- Материал элемента транзистора：SILICON
- Диэлектрический пробой напряжение：1kV
- Количество элементов：1
- Условия испытания：800V, 2A, 150 Ω, 15V
- Рабочая температура：-55°C~150°C TJ
- Пакетирование：Tube
- Опубликовано：2000
- Код JESD-609：e3
- Безоловая кодировка：yes
- Состояние изделия：Active
- Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
- Количество выводов：3
- Конечная обработка контакта：Matte Tin (Sn)
- Код ТН ВЭД：8541.29.00.95
- Максимальная потеря мощности：25W
- Температура пайки (пиковая) (°C)：NOT SPECIFIED
- Время@Максимальная температура пайки-пик (с)：NOT SPECIFIED
- Число контактов：3
- Код JESD-30：R-PSFM-T3
- Квалификационный Статус：Not Qualified
- Конфигурация элемента：Single
- Сокетная связка：COLLECTOR
- Входной тип：Standard
- Мощность - Макс：25W
- Применение транзистора：POWER CONTROL
- Полярность/Тип канала：N-CHANNEL
- Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)：1kV
- Максимальный ток сбора：4A
- Код JEDEC-95：TO-220AB
- Напряжение - пробой коллектора-эмиттера (макс.)：1000V
- Время включения：100 ns
- Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic：2.7V @ 15V, 2A
- Время выключения (toff)：100 ns
- Зарядная мощность：7.8nC
- Ток-эmitter импульсированный (Icm)：8A
- Тд (вкл/выкл) @ 25°C：15ns/300ns
- Переключаемый энергопотребление：560μJ (off)
- Напряжение затвор-эмиттер (макс.)：20V
- Максимальное напряжение на переходе ГЭ：8V
- Состояние RoHS：ROHS3 Compliant
Со склада 11
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
