MJE700G

Name: ON Semiconductor MJE700G
Brand: ON Semiconductor
Rating: 4.7 (17 reviews)

ON Semiconductor
Транзисторы - Биполярные (BJT) - Одинарные
TO-225AA, TO-126-3
TRANS PNP DARL 60V 4A TO225AA
Date Sheet

Lagernummer 0

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Состояние жизненного цикла：ACTIVE (Last Updated: 14 hours ago)
Срок поставки от производителя：2 Weeks
Вид крепления：Through Hole
Корпус / Кейс：TO-225AA, TO-126-3
Поверхностный монтаж：NO
Количество контактов：3
Вес：4.535924g
Материал элемента транзистора：SILICON
Диэлектрический пробой напряжение：60V
Количество элементов：1
Минимальная частота работы в герцах：100
Рабочая температура：-55°C~150°C TJ
Пакетирование：Bulk
Опубликовано：2001
Код JESD-609：e3
Безоловая кодировка：yes
Состояние изделия：Active
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
Количество выводов：3
Код ECCN：EAR99
Конечная обработка контакта：Tin (Sn)
Дополнительная Характеристика：BUILT IN BIAS RESISTOR
Ток постоянного напряжения - номинальный：-60V
Максимальная потеря мощности：40W
Температура пайки (пиковая) (°C)：260
Моментальный ток：-4A
Время@Максимальная температура пайки-пик (с)：40
Основной номер части：MJE700
Число контактов：3
Направленность：PNP
Конфигурация элемента：Single
Распад мощности：40W
Применение транзистора：AMPLIFIER
Без галогенов：Halogen Free
Тип транзистора：PNP - Darlington
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)：60V
Максимальный ток сбора：4A
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce：750 @ 1.5A 3V
Ток - отсечка коллектора (макс)：100μA
Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic：2.5V @ 30mA, 1.5A
Частота перехода：1MHz
Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО)：60V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)：5V
Высота：11.0998mm
Длина：7.7978mm
Ширина：2.9972mm
REACH SVHC：No SVHC
Корпусировка на излучение：No
Состояние RoHS：ROHS3 Compliant
Без свинца：Lead Free

Со склада 0

Итого $0.00000