Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Массивы 2N7002DWH6327XTSA1

Изображение служит лишь для справки






2N7002DWH6327XTSA1
-
Infineon Technologies
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Массивы
- 6-VSSOP, SC-88, SOT-363
- Trans MOSFET N-CH 60V 0.3A Automotive 6-Pin SOT-363 T/R
Date Sheet
Lagernummer 18000
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Срок поставки от производителя:10 Weeks
- Корпус / Кейс:6-VSSOP, SC-88, SOT-363
- Вид крепления:Surface Mount
- Монтаж:Surface Mount
- Количество контактов:6
- Материал элемента транзистора:SILICON
- Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C:300mA
- Время отключения:5.5 ns
- Количество элементов:2
- Опубликовано:2010
- Серия:OptiMOS™
- Пакетирование:Tape & Reel (TR)
- Рабочая температура:-55°C~150°C TJ
- Код JESD-609:e3
- Безоловая кодировка:yes
- Состояние изделия:Active
- Уровень чувствительности к влаге (УЧВ):1 (Unlimited)
- Количество выводов:6
- Код ECCN:EAR99
- Конечная обработка контакта:Matte Tin (Sn)
- Дополнительная Характеристика:AVALANCHE RATED, LOGIC LEVEL COMPATIBLE
- Максимальная потеря мощности:500mW
- Форма вывода:GULL WING
- Температура пайки (пиковая) (°C):NOT SPECIFIED
- Время@Максимальная температура пайки-пик (с):NOT SPECIFIED
- Число контактов:6
- Квалификационный Статус:Not Qualified
- Режим работы:ENHANCEMENT MODE
- Распад мощности:500mW
- Время задержки включения:3 ns
- Тип ТРВ:2 N-Channel (Dual)
- Применение транзистора:SWITCHING
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs:3 Ω @ 500mA, 10V
- Втс(th) (Макс) @ Id:2.5V @ 250μA
- Без галогенов:Halogen Free
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds:20pF @ 25V
- Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs:0.6nC @ 10V
- Время подъема:3.3ns
- Время падения (тип):3.1 ns
- Непрерывный ток стока (ID):115mA
- Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs):20V
- Максимальное напряжение питания с двумя источниками:60V
- Максимальный сливовой ток (ID):0.3A
- Сопротивление открытого канала-макс:3Ohm
- Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток):METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
- Характеристика ТРП:Logic Level Gate
- Обратная ёмкость-Макс (Crss):3 pF
- Состояние RoHS:ROHS3 Compliant
- REACH SVHC:No SVHC
- Без свинца:Lead Free
Со склада 18000
Итого $0.00000