(0)
Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Массивы FDC6312P
Изображение служит лишь для справки
FDC6312P
-
ON Semiconductor
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Массивы
- SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
- Trans MOSFET P-CH 20V 2.3A 6-Pin SuperSOT T/R
Date Sheet
Lagernummer 20000
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Состояние жизненного цикла：ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)
- Срок поставки от производителя：10 Weeks
- Монтаж：Surface Mount
- Вид крепления：Surface Mount
- Корпус / Кейс：SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
- Количество контактов：6
- Вес：36mg
- Материал элемента транзистора：SILICON
- Количество элементов：2
- Время отключения：18 ns
- Рабочая температура：-55°C~150°C TJ
- Пакетирование：Tape & Reel (TR)
- Серия：PowerTrench®
- Опубликовано：2001
- Код JESD-609：e3
- Безоловая кодировка：yes
- Состояние изделия：Active
- Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
- Количество выводов：6
- Завершение：SMD/SMT
- Код ECCN：EAR99
- Сопротивление：115MOhm
- Конечная обработка контакта：Tin (Sn)
- Ток постоянного напряжения - номинальный：-20V
- Максимальная потеря мощности：960mW
- Форма вывода：GULL WING
- Температура пайки (пиковая) (°C)：NOT SPECIFIED
- Моментальный ток：-2.3A
- Время@Максимальная температура пайки-пик (с)：NOT SPECIFIED
- Квалификационный Статус：Not Qualified
- Каналов количество：2
- Конфигурация элемента：Dual
- Режим работы：ENHANCEMENT MODE
- Распад мощности：960mW
- Время задержки включения：8 ns
- Мощность - Макс：700mW
- Тип ТРВ：2 P-Channel (Dual)
- Применение транзистора：SWITCHING
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：115m Ω @ 2.3A, 4.5V
- Втс(th) (Макс) @ Id：1.5V @ 250μA
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：467pF @ 10V
- Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：7nC @ 4.5V
- Время подъема：13ns
- Напряжение стока-исток (Vdss)：20V
- Время падения (тип)：13 ns
- Непрерывный ток стока (ID)：2.3A
- Пороговое напряжение：-900mV
- Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs)：8V
- Напряжение пробоя стока к истоку：-20V
- Двухпитание напряжения：-20V
- Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток)：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
- Максимальная температура перехода (Тj)：150°C
- Характеристика ТРП：Logic Level Gate
- Номинальное Vgs：-900 mV
- Высота：1.1mm
- Длина：3mm
- Ширина：1.7mm
- REACH SVHC：No SVHC
- Состояние RoHS：ROHS3 Compliant
- Без свинца：Lead Free
Со склада 20000
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
