(0)
Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Массивы FC6546010R
Изображение служит лишь для справки
FC6546010R
-
Panasonic Electronic Components
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Массивы
- 6-SMD, Flat Leads
- MOSFET Nch+Nch MOSFET 2.0x2.1mm Flat lead
Date Sheet
Lagernummer 0
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Срок поставки от производителя：10 Weeks
- Монтаж：Surface Mount
- Вид крепления：Surface Mount
- Корпус / Кейс：6-SMD, Flat Leads
- Количество контактов：6
- Материал элемента транзистора：SILICON
- Количество элементов：2
- Время отключения：100 ns
- Рабочая температура：150°C TJ
- Пакетирование：Tape & Reel (TR)
- Опубликовано：2011
- Состояние изделия：Active
- Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
- Количество выводов：6
- Код ECCN：EAR99
- Код ТН ВЭД：8541.21.00.95
- Максимальная потеря мощности：150mW
- Температура пайки (пиковая) (°C)：NOT SPECIFIED
- Код соответствия REACH：unknown
- Время@Максимальная температура пайки-пик (с)：NOT SPECIFIED
- Основной номер части：FC654601
- Конфигурация элемента：Dual
- Режим работы：ENHANCEMENT MODE
- Время задержки включения：100 ns
- Тип ТРВ：2 N-Channel (Dual)
- Применение транзистора：SWITCHING
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：12 Ω @ 10mA, 4V
- Втс(th) (Макс) @ Id：1.5V @ 1μA
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：12pF @ 3V
- Напряжение стока-исток (Vdss)：60V
- Непрерывный ток стока (ID)：100mA
- Пороговое напряжение：1.2V
- Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs)：12V
- Максимальный сливовой ток (ID)：0.1A
- Сопротивление открытого канала-макс：15Ohm
- Напряжение пробоя стока к истоку：60V
- Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток)：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
- Характеристика ТРП：Logic Level Gate
- Номинальное Vgs：1.2 V
- Высота：600μm
- Длина：2mm
- Ширина：1.25mm
- REACH SVHC：No SVHC
- Состояние RoHS：RoHS Compliant
Со склада 0
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
