(0)
Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Массивы 2N7002VA
Изображение служит лишь для справки
2N7002VA
-
ON Semiconductor
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Массивы
- SOT-563, SOT-666
- FET 60V 5.0 OHM SOT323
Date Sheet
Lagernummer 450
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Состояние жизненного цикла：ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)
- Срок поставки от производителя：4 Weeks
- Покрытие контактов：Tin
- Монтаж：Surface Mount
- Вид крепления：Surface Mount
- Корпус / Кейс：SOT-563, SOT-666
- Количество контактов：6
- Вес：32mg
- Материал элемента транзистора：SILICON
- Количество элементов：2
- Время отключения：12.5 ns
- Рабочая температура：-55°C~150°C TJ
- Пакетирование：Tape & Reel (TR)
- Опубликовано：2016
- Код JESD-609：e3
- Безоловая кодировка：yes
- Состояние изделия：Active
- Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
- Количество выводов：6
- Код ECCN：EAR99
- Максимальная потеря мощности：250mW
- Форма вывода：FLAT
- Конфигурация элемента：Dual
- Режим работы：ENHANCEMENT MODE
- Распад мощности：250mW
- Время задержки включения：5.85 ns
- Тип ТРВ：2 N-Channel (Dual)
- Применение транзистора：SWITCHING
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：7.5 Ω @ 50mA, 5V
- Втс(th) (Макс) @ Id：2.5V @ 250μA
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：50pF @ 25V
- Напряжение стока-исток (Vdss)：60V
- Непрерывный ток стока (ID)：280mA
- Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs)：20V
- Напряжение пробоя стока к истоку：60V
- Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток)：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
- Характеристика ТРП：Logic Level Gate
- Обратная ёмкость-Макс (Crss)：7 pF
- Корпусировка на излучение：No
- Состояние RoHS：ROHS3 Compliant
Со склада 450
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
