SI1965DH-T1-GE3

Name: Vishay Siliconix SI1965DH-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
Rating: 5 (16 reviews)

Vishay Siliconix
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Массивы
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
MOSFET 12V 1.3A 1.25W 390mohm @ 4.5V
Date Sheet

Lagernummer 676

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Срок поставки от производителя：14 Weeks
Монтаж：Surface Mount
Вид крепления：Surface Mount
Корпус / Кейс：6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Количество контактов：6
Вес：28.009329mg
Материал элемента транзистора：SILICON
Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：1.3A
Количество элементов：2
Время отключения：15 ns
Рабочая температура：-55°C~150°C TJ
Пакетирование：Tape & Reel (TR)
Серия：TrenchFET®
Опубликовано：2010
Код JESD-609：e3
Безоловая кодировка：yes
Состояние изделия：Active
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
Количество выводов：6
Код ECCN：EAR99
Сопротивление：390mOhm
Конечная обработка контакта：Matte Tin (Sn)
Максимальная потеря мощности：1.25W
Форма вывода：GULL WING
Температура пайки (пиковая) (°C)：260
Время@Максимальная температура пайки-пик (с)：30
Основной номер части：SI1965
Число контактов：6
Каналов количество：2
Конфигурация элемента：Dual
Режим работы：ENHANCEMENT MODE
Распад мощности：740mW
Время задержки включения：12 ns
Тип ТРВ：2 P-Channel (Dual)
Применение транзистора：SWITCHING
Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：390m Ω @ 1A, 4.5V
Втс(th) (Макс) @ Id：1V @ 250μA
Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：120pF @ 6V
Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：4.2nC @ 8V
Время подъема：27ns
Напряжение стока-исток (Vdss)：12V
Время падения (тип)：10 ns
Непрерывный ток стока (ID)：1.14A
Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs)：8V
Максимальный сливовой ток (ID)：1.3A
Напряжение пробоя стока к истоку：-12V
Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток)：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
Характеристика ТРП：Logic Level Gate
Номинальное Vgs：-400 mV
REACH SVHC：Unknown
Корпусировка на излучение：No
Состояние RoHS：ROHS3 Compliant
Без свинца：Lead Free

Со склада 676

Итого $0.00000