(0)
Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Массивы SI1902DL-T1-GE3
Изображение служит лишь для справки
SI1902DL-T1-GE3
-
Vishay Siliconix
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Массивы
- 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
- MOSFET 2N-CH 20V 0.66A SC-70-6
Date Sheet
Lagernummer 8231
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Срок поставки от производителя：14 Weeks
- Монтаж：Surface Mount
- Вид крепления：Surface Mount
- Корпус / Кейс：6-TSSOP, SC-88, SOT-363
- Количество контактов：6
- Вес：7.512624mg
- Материал элемента транзистора：SILICON
- Количество элементов：2
- Время отключения：10 ns
- Рабочая температура：-55°C~150°C TJ
- Пакетирование：Tape & Reel (TR)
- Серия：TrenchFET®
- Опубликовано：2008
- Код JESD-609：e3
- Безоловая кодировка：yes
- Состояние изделия：Active
- Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
- Количество выводов：6
- Код ECCN：EAR99
- Конечная обработка контакта：Matte Tin (Sn)
- Максимальная потеря мощности：270mW
- Форма вывода：GULL WING
- Основной номер части：SI1902
- Число контактов：6
- Конфигурация элемента：Dual
- Режим работы：ENHANCEMENT MODE
- Распад мощности：270mW
- Время задержки включения：10 ns
- Тип ТРВ：2 N-Channel (Dual)
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：385m Ω @ 660mA, 4.5V
- Втс(th) (Макс) @ Id：1.5V @ 250μA
- Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：1.2nC @ 4.5V
- Время подъема：16ns
- Напряжение стока-исток (Vdss)：20V
- Время падения (тип)：10 ns
- Непрерывный ток стока (ID)：660mA
- Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs)：12V
- Сопротивление открытого канала-макс：0.385Ohm
- Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток)：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
- Характеристика ТРП：Logic Level Gate
- Корпусировка на излучение：No
- Состояние RoHS：ROHS3 Compliant
Со склада 8231
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
