SI7942DP-T1-GE3

Name: Vishay Siliconix SI7942DP-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
Rating: 4.6 (6 reviews)

Vishay Siliconix
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Массивы
PowerPAK® SO-8 Dual
MOSFET 2N-CH 100V 3.8A PPAK SO-8
Date Sheet

Lagernummer 710

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Срок поставки от производителя：14 Weeks
Монтаж：Surface Mount
Вид крепления：Surface Mount
Корпус / Кейс：PowerPAK® SO-8 Dual
Количество контактов：8
Вес：506.605978mg
Материал элемента транзистора：SILICON
Количество элементов：2
Время отключения：35 ns
Рабочая температура：-55°C~150°C TJ
Пакетирование：Tape & Reel (TR)
Серия：TrenchFET®
Опубликовано：2015
Код JESD-609：e3
Безоловая кодировка：yes
Состояние изделия：Active
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
Количество выводов：6
Код ECCN：EAR99
Конечная обработка контакта：Matte Tin (Sn)
Максимальная потеря мощности：1.4W
Форма вывода：C BEND
Температура пайки (пиковая) (°C)：260
Время@Максимальная температура пайки-пик (с)：40
Основной номер части：SI7942
Число контактов：8
Код JESD-30：R-XDSO-C6
Конфигурация элемента：Dual
Режим работы：ENHANCEMENT MODE
Распад мощности：1.4W
Сокетная связка：DRAIN
Время задержки включения：15 ns
Тип ТРВ：2 N-Channel (Dual)
Применение транзистора：SWITCHING
Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：49m Ω @ 5.9A, 10V
Втс(th) (Макс) @ Id：4V @ 250μA
Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：24nC @ 10V
Время подъема：15ns
Напряжение стока-исток (Vdss)：100V
Время падения (тип)：15 ns
Непрерывный ток стока (ID)：3.8A
Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs)：20V
Сопротивление открытого канала-макс：0.049Ohm
Минимальная напряжённость разрушения：100V
Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток)：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
Характеристика ТРП：Logic Level Gate
Высота：1.04mm
Длина：4.9mm
Ширина：5.89mm
Корпусировка на излучение：No
Состояние RoHS：ROHS3 Compliant

Со склада 710

Итого $0.00000