IRFHS9351TRPBF

Name: Infineon Technologies IRFHS9351TRPBF
Brand: Infineon Technologies
Rating: 4.8 (10 reviews)

Infineon Technologies
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Массивы
6-VQFN Exposed Pad
INFINEON IRFHS9351TRPBF Dual MOSFET, Dual P Channel, -5.1 A, -30 V, 0.135 ohm, -10 V, -1.8 VNew
Date Sheet

Lagernummer 7545

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Срок поставки от производителя：12 Weeks
Монтаж：Surface Mount
Вид крепления：Surface Mount
Корпус / Кейс：6-VQFN Exposed Pad
Количество контактов：6
Материал элемента транзистора：SILICON
Количество элементов：2
Время отключения：6.3 ns
Рабочая температура：-55°C~150°C TJ
Пакетирование：Tape & Reel (TR)
Серия：HEXFET®
Опубликовано：2011
Код JESD-609：e3
Состояние изделия：Active
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
Количество выводов：6
Код ECCN：EAR99
Конечная обработка контакта：Matte Tin (Sn)
Дополнительная Характеристика：HIGH RELIABILITY
Максимальная потеря мощности：1.4W
Основной номер части：IRFHS9351PBF
Конфигурация элемента：Dual
Режим работы：ENHANCEMENT MODE
Распад мощности：1.4W
Время задержки включения：8.3 ns
Тип ТРВ：2 P-Channel (Dual)
Применение транзистора：SWITCHING
Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：170m Ω @ 3.1A, 10V
Втс(th) (Макс) @ Id：2.4V @ 10μA
Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：160pF @ 25V
Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：3.7nC @ 10V
Время подъема：30ns
Напряжение стока-исток (Vdss)：30V
Время падения (тип)：7.9 ns
Непрерывный ток стока (ID)：2.3A
Пороговое напряжение：-1.8V
Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs)：20V
Максимальный сливовой ток (ID)：5.1A
Сопротивление открытого канала-макс：0.17Ohm
Напряжение пробоя стока к истоку：-30V
Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток)：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
Характеристика ТРП：Logic Level Gate
Номинальное Vgs：-1.8 V
REACH SVHC：No SVHC
Корпусировка на излучение：No
Состояние RoHS：ROHS3 Compliant
Без свинца：Lead Free

Со склада 7545

Итого $0.00000