Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Массивы SI7220DN-T1-E3
![](https://static.whisyee.com/dimg/vishaysiliconix-si7218dnt1e3-7460.jpg)
Изображение служит лишь для справки
![](/_nuxt/img/icon1.a69e55e.png)
![](/_nuxt/img/icon2.6564a3d.png)
![](/_nuxt/img/icon3.dfeeaa2.png)
![](/_nuxt/img/icon4.c64d914.png)
![](/_nuxt/img/icon5.db8ede5.png)
![](/_nuxt/img/icon6.f17f115.png)
SI7220DN-T1-E3
-
Vishay Siliconix
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Массивы
- PowerPAK® 1212-8 Dual
- MOSFET 2N-CH 60V 3.4A 1212-8
Date Sheet
Lagernummer 2903
- 1+: $1.03441
- 10+: $0.97586
- 100+: $0.92062
- 500+: $0.86851
- 1000+: $0.81935
Zwischensummenbetrag $1.03441
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Срок поставки от производителя:14 Weeks
- Монтаж:Surface Mount
- Вид крепления:Surface Mount
- Корпус / Кейс:PowerPAK® 1212-8 Dual
- Количество контактов:8
- Материал элемента транзистора:SILICON
- Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C:3.4A
- Количество элементов:2
- Время отключения:20 ns
- Рабочая температура:-55°C~150°C TJ
- Пакетирование:Tape & Reel (TR)
- Серия:TrenchFET®
- Опубликовано:2015
- Код JESD-609:e3
- Безоловая кодировка:yes
- Состояние изделия:Active
- Уровень чувствительности к влаге (УЧВ):1 (Unlimited)
- Количество выводов:6
- Код ECCN:EAR99
- Сопротивление:60mOhm
- Конечная обработка контакта:Matte Tin (Sn)
- Максимальная потеря мощности:1.3W
- Форма вывода:C BEND
- Температура пайки (пиковая) (°C):260
- Время@Максимальная температура пайки-пик (с):40
- Основной номер части:SI7220
- Число контактов:8
- Код JESD-30:S-XDSO-C6
- Конфигурация элемента:Dual
- Режим работы:ENHANCEMENT MODE
- Распад мощности:1.3W
- Сокетная связка:DRAIN
- Время задержки включения:10 ns
- Тип ТРВ:2 N-Channel (Dual)
- Применение транзистора:SWITCHING
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs:60m Ω @ 4.8A, 10V
- Втс(th) (Макс) @ Id:3V @ 250μA
- Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs:20nC @ 10V
- Время подъема:10ns
- Время падения (тип):10 ns
- Непрерывный ток стока (ID):4.8A
- Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs):20V
- Максимальный сливовой ток (ID):3.4A
- Напряжение пробоя стока к истоку:60V
- Рейтинг энергии лавины (Eas):6.1 mJ
- Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток):METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
- Характеристика ТРП:Logic Level Gate
- Высота:1.04mm
- Длина:3.05mm
- Ширина:3.05mm
- Корпусировка на излучение:No
- Состояние RoHS:ROHS3 Compliant
- Без свинца:Lead Free
Со склада 2903
- 1+: $1.03441
- 10+: $0.97586
- 100+: $0.92062
- 500+: $0.86851
- 1000+: $0.81935
Итого $1.03441