Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Массивы SI5948DU-T1-GE3
![](https://static.whisyee.com/dimg/vishaysiliconix-si5517dut1ge3-7542.jpg)
Изображение служит лишь для справки
![](/_nuxt/img/icon1.a69e55e.png)
![](/_nuxt/img/icon2.6564a3d.png)
![](/_nuxt/img/icon3.dfeeaa2.png)
![](/_nuxt/img/icon4.c64d914.png)
![](/_nuxt/img/icon5.db8ede5.png)
![](/_nuxt/img/icon6.f17f115.png)
SI5948DU-T1-GE3
-
Vishay Siliconix
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Массивы
- PowerPAK® ChipFET™ Dual
- MOSFET 2 N-CH 40V 6A POWERPAK
Date Sheet
Lagernummer 8783
- 1+: $0.85253
- 10+: $0.80427
- 100+: $0.75875
- 500+: $0.71580
- 1000+: $0.67528
Zwischensummenbetrag $0.85253
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Срок поставки от производителя:14 Weeks
- Вид крепления:Surface Mount
- Корпус / Кейс:PowerPAK® ChipFET™ Dual
- Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C:6A Tc
- Рабочая температура:-55°C~150°C TJ
- Пакетирование:Tape & Reel (TR)
- Серия:TrenchFET®
- Состояние изделия:Active
- Уровень чувствительности к влаге (УЧВ):1 (Unlimited)
- Код ECCN:EAR99
- Температура пайки (пиковая) (°C):NOT SPECIFIED
- Время@Максимальная температура пайки-пик (с):NOT SPECIFIED
- Мощность - Макс:7W
- Тип ТРВ:2 N-Channel (Dual)
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs:82m Ω @ 5A, 10V
- Втс(th) (Макс) @ Id:2.5V @ 250μA
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds:165pF @ 20V
- Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs:2.6nC @ 4.5V
- Напряжение стока-исток (Vdss):40V
- Характеристика ТРП:Standard
- Состояние RoHS:ROHS3 Compliant
Со склада 8783
- 1+: $0.85253
- 10+: $0.80427
- 100+: $0.75875
- 500+: $0.71580
- 1000+: $0.67528
Итого $0.85253