(0)
Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Массивы 2N7002PS,115
Изображение служит лишь для справки
2N7002PS,115
-
Nexperia USA Inc.
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Массивы
- 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
- MOSFET 2N-CH 60V 0.32A 6TSSOP
Date Sheet
Lagernummer 3949
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Срок поставки от производителя：4 Weeks
- Покрытие контактов：Tin
- Вид крепления：Surface Mount
- Корпус / Кейс：6-TSSOP, SC-88, SOT-363
- Поверхностный монтаж：YES
- Количество контактов：6
- Материал элемента транзистора：SILICON
- Количество элементов：2
- Время отключения：10 ns
- Рабочая температура：150°C TJ
- Пакетирование：Cut Tape (CT)
- Опубликовано：2010
- Код JESD-609：e3
- Состояние изделия：Active
- Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
- Количество выводов：6
- Сопротивление：1.6Ohm
- Дополнительная Характеристика：LOGIC LEVEL COMPATIBLE
- Максимальная потеря мощности：420mW
- Форма вывода：GULL WING
- Число контактов：6
- Конфигурация элемента：Dual
- Режим работы：ENHANCEMENT MODE
- Распад мощности：320mW
- Время задержки включения：3 ns
- Мощность - Макс：420mW
- Тип ТРВ：2 N-Channel (Dual)
- Применение транзистора：SWITCHING
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：1.6 Ω @ 500mA, 10V
- Втс(th) (Макс) @ Id：2.4V @ 250μA
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：50pF @ 10V
- Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：0.8nC @ 4.5V
- Время подъема：4ns
- Время падения (тип)：4 ns
- Непрерывный ток стока (ID)：320mA
- Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs)：20V
- Максимальное напряжение питания с двумя источниками：60V
- Напряжение пробоя стока к истоку：60V
- Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток)：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
- Характеристика ТРП：Logic Level Gate
- Корпусировка на излучение：No
- Состояние RoHS：ROHS3 Compliant
- Без свинца：Lead Free
Со склада 3949
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
