SSM6N44FE,LM

Name: Toshiba Semiconductor and Storage SSM6N44FE,LM
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
Price: 0.2305773 USD
Availability: InStock
Rating: 4.7 (12 reviews)

Toshiba Semiconductor and Storage
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Массивы
SOT-563, SOT-666
MOSFET N-Ch Sm Sig FET 0.1A 30V 2-in-1
Date Sheet

Lagernummer 428

1+： $0.23058
10+： $0.21753
100+： $0.20521
500+： $0.19360
1000+： $0.18264

Zwischensummenbetrag $0.23058

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Срок поставки от производителя：16 Weeks
Монтаж：Surface Mount
Вид крепления：Surface Mount
Корпус / Кейс：SOT-563, SOT-666
Количество контактов：6
Материал элемента транзистора：SILICON
Производитель идентификатор упаковки：SON6-P-0.50
Количество элементов：2
Время отключения：200 ns
Рабочая температура：150°C TJ
Пакетирование：Tape & Reel (TR)
Опубликовано：2009
Состояние изделия：Active
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
Количество выводов：6
Максимальная потеря мощности：150mW
Форма вывода：FLAT
Основной номер части：SSM6N44
Каналов количество：2
Конфигурация элемента：Dual
Режим работы：ENHANCEMENT MODE
Распад мощности：150mW
Время задержки включения：50 ns
Тип ТРВ：2 N-Channel (Dual)
Применение транзистора：SWITCHING
Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：4 Ω @ 10mA, 4V
Втс(th) (Макс) @ Id：1.5V @ 100μA
Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：8.5pF @ 3V
Напряжение стока-исток (Vdss)：30V
Непрерывный ток стока (ID)：100mA
Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs)：20V
Максимальный сливовой ток (ID)：0.1A
Сопротивление открытого канала-макс：7Ohm
Напряжение пробоя стока к истоку：30V
Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток)：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
Максимальная температура перехода (Тj)：150°C
Характеристика ТРП：Logic Level Gate
Высота：600μm
Корпусировка на излучение：No
Состояние RoHS：RoHS Compliant

Со склада 428

1+： $0.23058
10+： $0.21753
100+： $0.20521
500+： $0.19360
1000+： $0.18264

Итого $0.23058