Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Массивы PMGD780SN,115
![](https://static.whisyee.com/dimg/nexperiausainc-pusb2x4yh-6260.jpg)
Изображение служит лишь для справки
![](/_nuxt/img/icon1.a69e55e.png)
![](/_nuxt/img/icon2.6564a3d.png)
![](/_nuxt/img/icon3.dfeeaa2.png)
![](/_nuxt/img/icon4.c64d914.png)
![](/_nuxt/img/icon5.db8ede5.png)
![](/_nuxt/img/icon6.f17f115.png)
PMGD780SN,115
-
Nexperia USA Inc.
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Массивы
- 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
- NEXPERIA - PMGD780SN,115 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 300 mA, 60 V, 0.78 ohm, 10 V, 2 V
Date Sheet
Lagernummer 135
- 1+: $0.16974
- 10+: $0.16013
- 100+: $0.15107
- 500+: $0.14252
- 1000+: $0.13445
Zwischensummenbetrag $0.16974
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Срок поставки от производителя:4 Weeks
- Вид крепления:Surface Mount
- Корпус / Кейс:6-TSSOP, SC-88, SOT-363
- Поверхностный монтаж:YES
- Количество контактов:6
- Материал элемента транзистора:SILICON
- Количество элементов:2
- Рабочая температура:-55°C~150°C TJ
- Пакетирование:Tape & Reel (TR)
- Серия:TrenchMOS™
- Опубликовано:2010
- Код JESD-609:e3
- Состояние изделия:Active
- Уровень чувствительности к влаге (УЧВ):1 (Unlimited)
- Количество выводов:6
- Код ECCN:EAR99
- Конечная обработка контакта:Tin (Sn)
- Код ТН ВЭД:8541.29.00.75
- Форма вывода:GULL WING
- Температура пайки (пиковая) (°C):260
- Время@Максимальная температура пайки-пик (с):30
- Число контактов:6
- Конфигурация:SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
- Режим работы:ENHANCEMENT MODE
- Распад мощности:410mW
- Мощность - Макс:410mW
- Тип ТРВ:2 N-Channel (Dual)
- Применение транзистора:SWITCHING
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs:920m Ω @ 300mA, 10V
- Втс(th) (Макс) @ Id:2.5V @ 250μA
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds:23pF @ 30V
- Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs:1.05nC @ 10V
- Напряжение стока-исток (Vdss):60V
- Непрерывный ток стока (ID):490mA
- Максимальный сливовой ток (ID):0.49A
- Сопротивление открытого канала-макс:0.92Ohm
- Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток):METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
- Характеристика ТРП:Logic Level Gate
- REACH SVHC:No SVHC
- Состояние RoHS:ROHS3 Compliant
Со склада 135
- 1+: $0.16974
- 10+: $0.16013
- 100+: $0.15107
- 500+: $0.14252
- 1000+: $0.13445
Итого $0.16974