NTZD5110NT1G

Name: ON Semiconductor NTZD5110NT1G
Brand: ON Semiconductor
Rating: 4.7 (5 reviews)

ON Semiconductor
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Массивы
SOT-563, SOT-666
MOSFET 2N-CH 60V 0.294A SOT563
Date Sheet

Lagernummer 279024

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Состояние жизненного цикла：ACTIVE (Last Updated: 4 days ago)
Срок поставки от производителя：4 Weeks
Покрытие контактов：Tin
Вид крепления：Surface Mount
Корпус / Кейс：SOT-563, SOT-666
Поверхностный монтаж：YES
Количество контактов：6
Материал элемента транзистора：SILICON
Количество элементов：2
Время отключения：63.7 ns
Рабочая температура：-55°C~150°C TJ
Пакетирование：Tape & Reel (TR)
Опубликовано：2007
Код JESD-609：e3
Безоловая кодировка：yes
Состояние изделия：Active
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
Количество выводов：6
Код ECCN：EAR99
Сопротивление：1.6Ohm
Максимальная потеря мощности：900mW
Форма вывода：FLAT
Температура пайки (пиковая) (°C)：260
Время@Максимальная температура пайки-пик (с)：40
Основной номер части：NTZD5110N
Число контактов：6
Конфигурация элемента：Dual
Режим работы：ENHANCEMENT MODE
Распад мощности：250mW
Время задержки включения：12 ns
Тип ТРВ：2 N-Channel (Dual)
Применение транзистора：SWITCHING
Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：1.6 Ω @ 500mA, 10V
Втс(th) (Макс) @ Id：2.5V @ 250μA
Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：24.5pF @ 20V
Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：0.7nC @ 4.5V
Время подъема：7.3ns
Напряжение стока-исток (Vdss)：60V
Время падения (тип)：7.3 ns
Непрерывный ток стока (ID)：294mA
Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs)：20V
Напряжение пробоя стока к истоку：60V
Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток)：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
Характеристика ТРП：Logic Level Gate
Высота：600μm
Длина：1.7mm
Ширина：1.3mm
Корпусировка на излучение：No
Состояние RoHS：ROHS3 Compliant
Без свинца：Lead Free

Со склада 279024

Итого $0.00000