(0)
Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Массивы SSM6L09FUTE85LF
Изображение служит лишь для справки
SSM6L09FUTE85LF
-
Toshiba Semiconductor and Storage
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Массивы
- 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
- MOSFET N-Ch P-Ch Sg FET 0.4A -0.2A 30V -30V
Date Sheet
Lagernummer 33217
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Срок поставки от производителя：12 Weeks
- Монтаж：Surface Mount
- Вид крепления：Surface Mount
- Корпус / Кейс：6-TSSOP, SC-88, SOT-363
- Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：400mA 200mA
- Время отключения：85 ns
- Рабочая температура：150°C TJ
- Пакетирование：Cut Tape (CT)
- Опубликовано：2014
- Состояние изделия：Active
- Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
- Максимальная потеря мощности：300mW
- Каналов количество：2
- Конфигурация элемента：Dual
- Режим работы：ENHANCEMENT MODE
- Время задержки включения：85 ns
- Тип ТРВ：N and P-Channel
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：700m Ω @ 200MA, 10V
- Втс(th) (Макс) @ Id：1.8V @ 100μA
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：20pF @ 5V
- Полярность/Тип канала：N-CHANNEL AND P-CHANNEL
- Непрерывный ток стока (ID)：200mA
- Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs)：-1.8V
- Максимальный сливовой ток (ID)：0.4A
- Напряжение пробоя стока к истоку：30V
- Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток)：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
- Характеристика ТРП：Logic Level Gate
- Состояние RoHS：RoHS Compliant
Со склада 33217
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
