(0)
Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Массивы PMGD280UN,115
Изображение служит лишь для справки
PMGD280UN,115
-
Nexperia USA Inc.
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Массивы
- 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
- MOSFET 2N-CH 20V 0.87A 6TSSOP
Date Sheet
Lagernummer 259499
- 1+： $0.22416
- 10+： $0.21148
- 100+： $0.19951
- 500+： $0.18821
- 1000+： $0.17756
Zwischensummenbetrag $0.22416
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Срок поставки от производителя：4 Weeks
- Вид крепления：Surface Mount
- Корпус / Кейс：6-TSSOP, SC-88, SOT-363
- Поверхностный монтаж：YES
- Количество контактов：6
- Материал элемента транзистора：SILICON
- Количество элементов：2
- Рабочая температура：-55°C~150°C TJ
- Пакетирование：Tape & Reel (TR)
- Серия：TrenchMOS™
- Опубликовано：1997
- Код JESD-609：e3
- Состояние изделия：Active
- Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
- Количество выводов：6
- Код ECCN：EAR99
- Конечная обработка контакта：Tin (Sn)
- Код ТН ВЭД：8541.29.00.75
- Форма вывода：GULL WING
- Число контактов：6
- Конфигурация：SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
- Режим работы：ENHANCEMENT MODE
- Распад мощности：400mW
- Мощность - Макс：400mW
- Тип ТРВ：2 N-Channel (Dual)
- Применение транзистора：SWITCHING
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：340m Ω @ 200mA, 4.5V
- Втс(th) (Макс) @ Id：1V @ 250μA
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：45pF @ 20V
- Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：0.89nC @ 4.5V
- Напряжение стока-исток (Vdss)：20V
- Непрерывный ток стока (ID)：870mA
- Максимальный сливовой ток (ID)：0.87A
- Сопротивление открытого канала-макс：0.34Ohm
- Минимальная напряжённость разрушения：20V
- Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток)：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
- Характеристика ТРП：Logic Level Gate
- Состояние RoHS：ROHS3 Compliant
Со склада 259499
- 1+： $0.22416
- 10+： $0.21148
- 100+： $0.19951
- 500+： $0.18821
- 1000+： $0.17756
Итого $0.22416
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
