(0)
Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Массивы NTND31015NZTAG
Изображение служит лишь для справки
NTND31015NZTAG
-
ON Semiconductor
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Массивы
- 6-XFLGA
- MOSFET NFET XLLGA6 20V 200M
Date Sheet
Lagernummer 102580
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Состояние жизненного цикла：ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)
- Срок поставки от производителя：5 Weeks
- Монтаж：Surface Mount
- Вид крепления：Surface Mount
- Корпус / Кейс：6-XFLGA
- Количество контактов：6
- Материал элемента транзистора：SILICON
- Количество элементов：2
- Рабочая температура：-55°C~150°C TJ
- Пакетирование：Tape & Reel (TR)
- Опубликовано：2015
- Код JESD-609：e4
- Безоловая кодировка：yes
- Состояние изделия：Active
- Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
- Количество выводов：6
- Конечная обработка контакта：Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
- Максимальная потеря мощности：125mW
- Положение терминала：BOTTOM
- Форма вывода：NO LEAD
- Температура пайки (пиковая) (°C)：NOT SPECIFIED
- Время@Максимальная температура пайки-пик (с)：NOT SPECIFIED
- Конфигурация：SEPERATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR
- Режим работы：ENHANCEMENT MODE
- Мощность - Макс：125mW
- Тип ТРВ：2 N-Channel (Dual)
- Применение транзистора：SWITCHING
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：1.5 Ω @ 100mA, 4.5V
- Втс(th) (Макс) @ Id：1V @ 250μA
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：12.3pF @ 15V
- Напряжение стока-исток (Vdss)：20V
- Непрерывный ток стока (ID)：200mA
- Максимальный сливовой ток (ID)：0.2A
- Минимальная напряжённость разрушения：20V
- Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток)：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
- Характеристика ТРП：Standard
- Состояние RoHS：ROHS3 Compliant
- Без свинца：Lead Free
Со склада 102580
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
