(0)
Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Массивы NX3008NBKV,115
Изображение служит лишь для справки
NX3008NBKV,115
-
Nexperia USA Inc.
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Массивы
- SOT-563, SOT-666
- NEXPERIA - NX3008NBKV,115 - MOSFET, NN-KANAL, 30V, 400MA, SOT666
Date Sheet
Lagernummer 689
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Срок поставки от производителя：4 Weeks
- Вид крепления：Surface Mount
- Корпус / Кейс：SOT-563, SOT-666
- Поверхностный монтаж：YES
- Материал элемента транзистора：SILICON
- Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：400mA
- Количество элементов：2
- Рабочая температура：-55°C~150°C TJ
- Пакетирование：Tape & Reel (TR)
- Серия：Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™
- Опубликовано：2011
- Код JESD-609：e3
- Состояние изделия：Active
- Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
- Количество выводов：6
- Конечная обработка контакта：Tin (Sn)
- Форма вывода：FLAT
- Число контактов：6
- Нормативная Марка：AEC-Q101; IEC-60134
- Код JESD-30：R-PDSO-F6
- Конфигурация：SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
- Режим работы：ENHANCEMENT MODE
- Мощность - Макс：500mW
- Тип ТРВ：2 N-Channel (Dual)
- Применение транзистора：SWITCHING
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：1.4 Ω @ 350mA, 4.5V
- Втс(th) (Макс) @ Id：1.1V @ 250μA
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：50pF @ 15V
- Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：0.68nC @ 4.5V
- Напряжение стока-исток (Vdss)：30V
- Максимальный сливовой ток (ID)：0.4A
- Минимальная напряжённость разрушения：30V
- Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток)：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
- Максимальная потеря мощности (абс.)：0.39W
- Характеристика ТРП：Logic Level Gate
- Состояние RoHS：ROHS3 Compliant
Со склада 689
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
