Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Массивы NDC7003P
![](https://static.whisyee.com/dimg/onsemiconductor-fan5622sx-7877.jpg)
Изображение служит лишь для справки
![](/_nuxt/img/icon1.a69e55e.png)
![](/_nuxt/img/icon2.6564a3d.png)
![](/_nuxt/img/icon3.dfeeaa2.png)
![](/_nuxt/img/icon4.c64d914.png)
![](/_nuxt/img/icon5.db8ede5.png)
![](/_nuxt/img/icon6.f17f115.png)
NDC7003P
-
ON Semiconductor
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Массивы
- SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
- Trans MOSFET P-CH 60V 0.34A 6-Pin SuperSOT T/R
Date Sheet
Lagernummer 13738
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Состояние жизненного цикла:ACTIVE (Last Updated: 3 days ago)
- Срок поставки от производителя:23 Weeks
- Покрытие контактов:Tin
- Монтаж:Surface Mount
- Вид крепления:Surface Mount
- Корпус / Кейс:SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
- Количество контактов:6
- Вес:36mg
- Материал элемента транзистора:SILICON
- Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C:340mA
- Количество элементов:2
- Время отключения:8 ns
- Рабочая температура:-55°C~150°C TJ
- Пакетирование:Tape & Reel (TR)
- Серия:PowerTrench®
- Опубликовано:2002
- Код JESD-609:e3
- Безоловая кодировка:yes
- Состояние изделия:Active
- Уровень чувствительности к влаге (УЧВ):1 (Unlimited)
- Количество выводов:6
- Код ECCN:EAR99
- Сопротивление:5Ohm
- Ток постоянного напряжения - номинальный:-50V
- Максимальная потеря мощности:960mW
- Форма вывода:GULL WING
- Моментальный ток:-220mA
- Каналов количество:2
- Конфигурация элемента:Dual
- Режим работы:ENHANCEMENT MODE
- Распад мощности:960mW
- Время задержки включения:3.2 ns
- Мощность - Макс:700mW
- Тип ТРВ:2 P-Channel (Dual)
- Применение транзистора:SWITCHING
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs:5 Ω @ 340mA, 10V
- Втс(th) (Макс) @ Id:3.5V @ 250μA
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds:66pF @ 25V
- Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs:2.2nC @ 10V
- Время подъема:10ns
- Время падения (тип):10 ns
- Непрерывный ток стока (ID):-340mA
- Пороговое напряжение:-1V
- Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs):20V
- Максимальный сливовой ток (ID):0.34A
- Напряжение пробоя стока к истоку:-60V
- Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток):METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
- Максимальная температура перехода (Тj):150°C
- Характеристика ТРП:Logic Level Gate
- Номинальное Vgs:-1.9 V
- Минимальная разрушающая напряжение:60V
- Высота:1.1mm
- Длина:3mm
- Ширина:1.7mm
- REACH SVHC:No SVHC
- Корпусировка на излучение:No
- Состояние RoHS:ROHS3 Compliant
- Без свинца:Lead Free
Со склада 13738
Итого $0.00000