Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Массивы DMN2004DMK-7
![](https://static.whisyee.com/dimg/diodesincorporated-dt104204so7-6257.jpg)
Изображение служит лишь для справки
![](/_nuxt/img/icon1.a69e55e.png)
![](/_nuxt/img/icon2.6564a3d.png)
![](/_nuxt/img/icon3.dfeeaa2.png)
![](/_nuxt/img/icon4.c64d914.png)
![](/_nuxt/img/icon5.db8ede5.png)
![](/_nuxt/img/icon6.f17f115.png)
DMN2004DMK-7
-
Diodes Incorporated
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Массивы
- SOT-23-6
- MOSFET 2N-CH 20V 0.54A SOT-26
Date Sheet
Lagernummer 39398
- 1+: $0.42452
- 10+: $0.40049
- 100+: $0.37782
- 500+: $0.35643
- 1000+: $0.33626
Zwischensummenbetrag $0.42452
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Срок поставки от производителя:16 Weeks
- Монтаж:Surface Mount
- Вид крепления:Surface Mount
- Корпус / Кейс:SOT-23-6
- Количество контактов:6
- Материал элемента транзистора:SILICON
- Количество элементов:2
- Рабочая температура:-65°C~150°C TJ
- Пакетирование:Tape & Reel (TR)
- Опубликовано:2011
- Код JESD-609:e3
- Безоловая кодировка:yes
- Состояние изделия:Active
- Уровень чувствительности к влаге (УЧВ):1 (Unlimited)
- Количество выводов:6
- Код ECCN:EAR99
- Конечная обработка контакта:Matte Tin (Sn)
- Дополнительная Характеристика:HIGH RELIABILITY
- Ток постоянного напряжения - номинальный:20V
- Максимальная потеря мощности:225mW
- Форма вывода:GULL WING
- Температура пайки (пиковая) (°C):260
- Моментальный ток:540mA
- Время@Максимальная температура пайки-пик (с):40
- Основной номер части:DMN2004DMK
- Число контактов:6
- Конфигурация элемента:Dual
- Режим работы:ENHANCEMENT MODE
- Распад мощности:225mW
- Тип ТРВ:2 N-Channel (Dual)
- Применение транзистора:SWITCHING
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs:550m Ω @ 540mA, 4.5V
- Втс(th) (Макс) @ Id:1V @ 250μA
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds:150pF @ 16V
- Непрерывный ток стока (ID):540mA
- Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs):8V
- Максимальный сливовой ток (ID):0.54A
- Сопротивление открытого канала-макс:0.55Ohm
- Напряжение пробоя стока к истоку:20V
- Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток):METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
- Характеристика ТРП:Logic Level Gate
- Высота:1.1mm
- Длина:3mm
- Ширина:1.6mm
- REACH SVHC:No SVHC
- Корпусировка на излучение:No
- Состояние RoHS:ROHS3 Compliant
- Без свинца:Lead Free
Со склада 39398
- 1+: $0.42452
- 10+: $0.40049
- 100+: $0.37782
- 500+: $0.35643
- 1000+: $0.33626
Итого $0.42452